HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生器 HNCJ係列 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器生產(chǎn)廠家產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。所有DAC之間的共性就是技術(shù)規(guī)格的定義以及說(shuō)明。這篇文章將會(huì)論述靜態(tài)DAC技術(shù)規(guī)格。靜態(tài)DAC技術(shù)規(guī)格包括對(duì)DAC在DC域中所具有的特性的描述。在DC域中時(shí)，DAC的數(shù)字與模擬定時(shí)現(xiàn)象不屬於這一組技術(shù)規(guī)格。雖然這3個(gè)DAC拓?fù)浠ゲ幌嗤鼈兊募夹g(shù)規(guī)格與電氣描述非常類似。一個(gè)主要的靜態(tài)DAC技術(shù)規(guī)格就是理想轉(zhuǎn)換函數(shù)()。在對(duì)這個(gè)普通轉(zhuǎn)換函數(shù)的圖示中，可以輕鬆地體會(huì)和理解零代碼、偏移、滿量程以及增益的定義。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

MSO係列提供了工具，可以采用強(qiáng)大的數(shù)字觸發(fā)、高分辨率采集功能和工具，迅速調(diào)試數(shù)字電路。本應(yīng)用指南重點(diǎn)介紹檢驗(yàn)和調(diào)試技巧，幫助您使用泰克MSO係列更地實(shí)現(xiàn)數(shù)字設(shè)計(jì)。同一個(gè)MSO4數(shù)字適配夾上的混合邏輯家族(TTLLVPECL)門(mén)限設(shè)置。上麵三條通道是TTL信號(hào)，門(mén)限為1.4V;下麵兩條通道是LVPECL信號(hào)，門(mén)限為2.V。設(shè)置數(shù)字門(mén)限混合信號(hào)示波器的數(shù)字通道把數(shù)字信號(hào)視為邏輯值高或邏輯值低，與數(shù)字電路查看信號(hào)的方式一模一樣。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。晶振，是電路中重要的電子元件，控製著係統(tǒng)運(yùn)行的節(jié)拍?；恫煌膽?yīng)用場(chǎng)景，晶振有多種類型，無(wú)源晶振是其中價(jià)格便宜而又應(yīng)用廣泛的一種。在使用示波器測(cè)量無(wú)源晶振輸出頻率時(shí)，常常會(huì)發(fā)現(xiàn)晶振有輸出無(wú)信號(hào)、晶振不起振等異常情況。本文就此情況略談一二。無(wú)源晶振簡(jiǎn)介無(wú)源晶振，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)應(yīng)叫Crystal（晶體），有源晶振則叫Oscillator（振蕩器）。無(wú)源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成，其兩管腳是無(wú)極性的。衝擊電壓發(fā)生器 HNCJ係列 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器生產(chǎn)廠家

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。