HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀原理用途產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)?；ǒB加5次和7次諧波示意圖電網(wǎng)諧波產(chǎn)生的原因高次諧波產(chǎn)生的根本原因是由於電力係統(tǒng)中某些設(shè)備和負(fù)荷的非線性特性，即所加的電壓與產(chǎn)生的電流不成線性（正比）關(guān)係而造成的波形畸變。電網(wǎng)諧波來自於三個(gè)方麵：發(fā)電源質(zhì)量不高產(chǎn)生諧波；由於發(fā)電機(jī)製造工藝的問題，致使電樞表麵的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布稍稍偏離正弦波，產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)也會(huì)稍稍偏離正弦電動(dòng)勢(shì)，即所產(chǎn)生的電流稍偏離正弦電流。當(dāng)然，幾個(gè)這樣的電源並網(wǎng)時(shí)，總電源的電流也將偏離正弦波。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

終端電阻的作用對(duì)於RS-485總線，終端電阻主要是為了匹配通信線的特性阻抗，防止信號(hào)反射，提高信號(hào)質(zhì)量。在組建RS-485總線網(wǎng)絡(luò)時(shí)，通常使用特性阻抗為120Ω的雙絞線，由於RS-485輸入阻抗一般較高（RSM485ECHT輸入阻抗為96kΩ，多可連接256個(gè)節(jié)點(diǎn)），在信號(hào)傳輸?shù)娇偩€末端時(shí)會(huì)由於受到的瞬時(shí)阻抗發(fā)生突變（以RSM485ECHT為例，阻抗由120Ω變?yōu)?6kΩ），導(dǎo)致信號(hào)發(fā)生反射，影響信號(hào)的質(zhì)量。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動(dòng)作可靠。CSP(ChipScalePACkage)：芯片級(jí)封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表麵貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方麵有陶瓷、金屬和塑料三種。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀原理用途

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。