HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置定製定做產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。對於電力係統(tǒng)外部，諧波對通信設(shè)備和電子設(shè)備會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重乾擾。諧波為解決電力電子裝置和其他諧波源的諧波汙染問題，基本思路有兩條：一條是裝設(shè)諧波補(bǔ)償裝置來補(bǔ)償諧波，這對諧波源都是適用的；另一條是對電力電子裝置本身進(jìn)行改造，使其不產(chǎn)生諧波，且功率因數(shù)可控製為1，這當(dāng)然隻適用於作為主要諧波源的電力電子裝置。裝設(shè)諧波補(bǔ)償裝置的傳統(tǒng)方法就是采用LC調(diào)諧濾波器。這種方法既可補(bǔ)償諧波，又可補(bǔ)償無功功率，而且結(jié)構(gòu)簡單，一直被廣泛使用。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

在電網(wǎng)係統(tǒng)開展地震監(jiān)測與預(yù)警對提升電網(wǎng)的地震韌性具有重要意義。與此同時(shí)，電網(wǎng)係統(tǒng)開展地震預(yù)警具有較大技術(shù)優(yōu)勢。，電網(wǎng)的分布與地區(qū)國民經(jīng)濟(jì)的分布高度重合，電網(wǎng)密度大的區(qū)域也是地震預(yù)警需求大的區(qū)域。在電網(wǎng)的變電站中設(shè)置地震預(yù)警係統(tǒng)的監(jiān)測站點(diǎn)，可以在發(fā)揮效益的同時(shí)減少地震監(jiān)測站點(diǎn)選址和基建的成本。其次，在地震預(yù)警係統(tǒng)中，監(jiān)測站點(diǎn)、數(shù)據(jù)中心和通訊係統(tǒng)的良好維護(hù)是係統(tǒng)在****發(fā)揮作用的重要前提。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動(dòng)作可靠。按照存儲芯片MicroSD卡供電要求的範(fàn)圍：2.7V-3.6V；不允許超出此範(fàn)圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)ㄆ恼９ぷ鲙碛绊憽Ｐ枰紤]的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限製？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測試“高頻開關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過後端的外圍模塊後在末端進(jìn)行測試的時(shí)候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限製，實(shí)際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對比測試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個(gè)模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對電行測量，如下圖：當(dāng)我們在圖片上的點(diǎn)進(jìn)行測試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)範(fàn)要求的範(fàn)圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的範(fàn)圍內(nèi)；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關(guān)電源測試過程中，已經(jīng)不是高頻開關(guān)電源紋波測量，而應(yīng)該是噪聲。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置定製定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。