青島華能供應(yīng) 低效高法電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)校驗(yàn)裝置 定製定做HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.冷鏈監(jiān)測(cè)的重要性在新版的GSP中，對(duì)於醫(yī)藥企業(yè)的倉儲(chǔ)溫濕度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、冷鏈物流以及運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域提出了更高的要求。而在此變革環(huán)境下，醫(yī)藥冷鏈麵臨著一係列深刻的變革。然而，從現(xiàn)況來看，醫(yī)藥冷鏈容易斷鏈的環(huán)節(jié)就是藥品的冷鏈運(yùn)輸環(huán)節(jié)。而對(duì)於冷鏈運(yùn)輸與環(huán)節(jié)來說，其為重要的部分就是實(shí)現(xiàn)全程的溫度監(jiān)控，以限度確保藥品品質(zhì)，減小損耗，從而儘可能滿足消費(fèi)者的需求。對(duì)於大多數(shù)醫(yī)用血液、生物製劑、疫苗和藥品而言，在貨物運(yùn)輸過程中由於其所含蛋白質(zhì)成分易受環(huán)境溫度變化的影響導(dǎo)致變質(zhì)現(xiàn)象發(fā)生，而溫度敏感**品的流通**是藥品**的重要組成部分，因此需要非常嚴(yán)格的溫度監(jiān)控。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大乾擾，參見圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，冇有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，和微波暗室的測(cè)試目的一樣，TEMCELL也是一個(gè)模擬理想空間的天線測(cè)試環(huán)境，金屬箱能夠提供足夠的功能來消除外部乾擾對(duì)天線的影響，而內(nèi)部的吸波材料也能吸收入射波，減小反射波。TEMCELL不能對(duì)天線進(jìn)行無源測(cè)試，隻能對(duì)有源指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試。由於空間限製，TEMCELL的吸波材料比較薄，而對(duì)於劈狀吸波材料，是通過劈尖間的多次反射增加對(duì)入射波進(jìn)行吸收，因此微波暗室裡的吸波材料都比較厚，而TEMCELL的吸波材料都不購厚，因此對(duì)入射波的吸收都不是很充分，因此會(huì)導(dǎo)致測(cè)試的結(jié)果不。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，由於晶體管的開關(guān)以及實(shí)際互連線的特性等原因?qū)е码娫丛谝欢ü?fàn)圍內(nèi)波動(dòng)。當(dāng)實(shí)際供電值高於波動(dòng)上限時(shí)，就會(huì)引起芯片工作的可靠性問題；當(dāng)實(shí)際供電值低於下限時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片的工作性能降低甚至不能工作；當(dāng)電壓波動(dòng)幅度較大時(shí)，可能會(huì)直接影響相關(guān)電路的信號(hào)質(zhì)量?；渡鲜鲞@些問題，隨著單板高速高密度的發(fā)展，電源完整性已經(jīng)成為製約設(shè)計(jì)的一個(gè)重要因素。在硬件設(shè)計(jì)和調(diào)測(cè)過程中，必須保證電源電路高質(zhì)量工作。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)SAFTehnika是世界微波數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備製造商之一,業(yè)務(wù)遍及13多個(gè)。SC頻譜儀作為其重點(diǎn)推出的產(chǎn)品，以輕巧、方便、簡單的優(yōu)勢(shì)，專為現(xiàn)場(chǎng)工程師量身設(shè)計(jì)。虹小科帶來5分鐘SAF實(shí)用小——視距傳播（LOS）探勘指南。歡迎觀看了解~虹小科溫馨提示：長達(dá)將近5分鐘，建議在WiFi環(huán)境下觀看哦~探勘過程要求2個(gè)團(tuán)隊(duì)的合格人員合作完成與語音通信設(shè)備。必備的工具SAFSpectrumCompact(SC)-SAF便攜式頻譜儀。青島華能供應(yīng) 低效高法電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)校驗(yàn)裝置 定製定做