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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法
詳情介紹:

青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法HN10A互感器特性綜合測試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀CT/PT儀

青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法測量校核型號(hào)的CT、PT,包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.在識(shí)彆PLC信號(hào)方麵,本文采用的是統(tǒng)計(jì)模式識(shí)彆方法,這種方法計(jì)算量比較小,容易求解。本文針對文獻(xiàn)[1]所提出的識(shí)彆器模型,改進(jìn)並設(shè)計(jì)了一種算法簡單、計(jì)算量較小的信號(hào)識(shí)彆器。在低信噪比的情況下,識(shí)彆效果也是比較理想的?;督茖?shí)際的電力線通信信道的仿真結(jié)果和比較試驗(yàn)顯示出本文所改進(jìn)和設(shè)計(jì)的識(shí)彆器的有效性。1信號(hào)模型設(shè)r(t)為接收到的信號(hào)的複數(shù)模型:其中s(t)是調(diào)製信號(hào)的複數(shù)形式,n(t)是電力線信道的背景噪聲,ωc是載波頻率,θc是載波相位。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10%誤差曲線、 5%誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)(ALF)、 儀表保安係數(shù)(FS)、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。外部乾擾——電子設(shè)備或係統(tǒng)以外的因素對線路、設(shè)備或係統(tǒng)的影響。外部高電壓、電源通過絕緣漏電而乾擾電子線路、設(shè)備或係統(tǒng)。外部大功率的設(shè)備在空間產(chǎn)生很強(qiáng)的磁場,通過互感耦合乾擾電子線路、設(shè)備或係統(tǒng)??臻g電磁對電子線路或係統(tǒng)產(chǎn)生的乾擾。工作環(huán)境溫度不穩(wěn)定,引起電子線路、設(shè)備或係統(tǒng)內(nèi)部元器件參數(shù)改變造成的乾擾。電磁乾擾的傳播途徑1.當(dāng)乾擾源頻率較高,且乾擾信號(hào)波長比擾對象結(jié)構(gòu)尺寸小,則乾擾信號(hào)可認(rèn)為是輻射場,以平麵電磁波形式向外輻射電磁場能量,並進(jìn)入擾對象的通路。

具體接線步驟和說明如下:

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接,未接地的電力線較長,會(huì)給CT一次側(cè)的測量引入較大乾擾,參見圖3.4。青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.3所示,斷開被測CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測試時(shí),冇有測試的二次繞組應(yīng)短接,否則測試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10,OTA的主要測量指標(biāo)OTA測量包括發(fā)射端測量和接收端測量兩個(gè)部分。發(fā)射端測量指標(biāo)主要包括以功率測量為主的指標(biāo),如TRP(總輻射功率)和以信道質(zhì)量為主的指標(biāo)如DirectionalEVM;接收端測量指標(biāo)主要包括波束頂點(diǎn)處的靈敏度,交調(diào),Throughput(吞吐量)等。具體如下:發(fā)射端:ACLR鄰道泄漏功率比TRP總輻射功率EIRP等效全向輻射功率,即某方向測得的輻射功率,為TRP的基本構(gòu)成單位DirectionalEVM具有方向性的矢量誤差幅度DirectionalPower具有方向性的功率-接收端:TIS總?cè)蜢`敏度EIS有效全向靈敏度,即某方向測得的靈敏度,為TIS的基本構(gòu)成單位。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT,進(jìn)行0.5級繞組的比差角差測量時(shí)應(yīng)按照圖3在考慮上述問題之後就能確定選用何種類型的傳感器,然後再考慮傳感器的具體性能指標(biāo)。頻率響應(yīng)特性五金傳感器的頻率響應(yīng)特性決定了被測量的頻率範(fàn)圍,必須在允許頻率範(fàn)圍內(nèi)保持不失真的測量條件,實(shí)際上傳感器的響應(yīng)總有—定延遲,希望延遲時(shí)間越短越好。傳感器的頻率響應(yīng)高,可測的信號(hào)頻率範(fàn)圍就寬,而由於受到結(jié)構(gòu)特性的影響,機(jī)械?係統(tǒng)的慣性較大,因有頻率低的傳感器可測信號(hào)的頻率較低。在動(dòng)態(tài)測量中,應(yīng)根據(jù)信號(hào)的特點(diǎn)(穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、隨機(jī)等)響應(yīng)特性,以免產(chǎn)生過火的誤差。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說明如下:將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.6所示,斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端,參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響,在連接CTPT儀的端子時(shí),CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)所述存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償餘數(shù)具體包括:用第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)覆蓋第n-1個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。一種應(yīng)用在電能表中RTC模塊的補(bǔ)償校準(zhǔn)裝置,包括:溫度測量模塊,用於根據(jù)測量的RTC模塊的晶體溫度獲取時(shí)鐘校準(zhǔn)所需的補(bǔ)償參數(shù);控製模塊,用於根據(jù)所述補(bǔ)償參數(shù)和RTC模塊的補(bǔ)償單位計(jì)算補(bǔ)償校準(zhǔn)值和補(bǔ)償餘數(shù),並根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償餘數(shù)對RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)。所述控製模塊,具體用於在個(gè)補(bǔ)償周期中,按照所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值對所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn),並將所述補(bǔ)償餘數(shù)存入存儲(chǔ)模塊;所述存儲(chǔ)模塊,用於存儲(chǔ)所述補(bǔ)償餘數(shù)。青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法青島華能HN係列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗(yàn)方法






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