青島華能供應 CT綜合儀 原理用途HN10A互感器特性綜合測試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測量校核型號的CT、PT，包括保護CT、計量CT、TP級暫態(tài)CT、勵磁飽和電壓達到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.二維傅裡葉變換Lamb波在時間和空間上都可以通過二維傅裡葉變換轉(zhuǎn)換為二維各個離散頻率點的頻率G波數(shù)能量譜,從而分解出單個Lamb波,並可對其幅值進行測量。單個波動組分在時間上的頻度稱為頻率,而在空間(距離)上的頻度稱為波數(shù).由頻率波數(shù)譜中某個波動組分的頻率和波數(shù),可以確定周期和波長。通過對接收信號的二維傅裡葉變換,與理論計算得到的波數(shù)G頻率的頻散曲線進行對比,從而確定檢測信號中包含的Lamb波模態(tài)。

自動給出點電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。隨著現(xiàn)代科學技術的發(fā)展，自動化技術已經(jīng)走入了人們的生活。自動化的工具，能夠省卻重複而繁雜的手工操作，的提高了工作生活的便利性。在測量領域，儀器的手動操作使用也能改為由計算機控製自動測試，在減少操作耗時的同時，也的提高了操作的準確度。要實現(xiàn)設備儀器的自動化操作，需要一把“瑞士”。儀器自動化的瑞士---SCPISCPI：SCPI(程控儀器標準命令集)是一種建立在現(xiàn)有標準IEEE488.1和IEEE488.2基礎上的標準化儀器編程語言。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長，會給CT一次側(cè)的測量引入較大乾擾，參見圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.3所示，斷開被測CT二次側(cè)和二次負荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進行CT或CT比差角差測試時，冇有測試的二次繞組應短接，否則測試誤差將會偏大保護10P10，機械衝擊：過大的衝擊轉(zhuǎn)矩往往造成電機籠條，端環(huán)斷裂和定子端繞組絕緣破損，導致?lián)舸龣C，轉(zhuǎn)軸扭曲，聯(lián)軸節(jié)、傳動齒輪損傷和皮帶撕裂等；3.對生產(chǎn)機械造成衝擊：起動過程中的壓力突變往往造成泵係統(tǒng)管道、閥門的損傷，縮短使用壽命；影響傳動精度，甚至影響正常的過程控製。所有這些都給設備的**可靠運行帶來威脅，同時也造成過大的起動能量損耗，尤其當頻繁起停時更是如此。為避免對電網(wǎng)和設備造成嚴重影響，大功率電機在啟動時一般采用如下兩種方式。暫態(tài)TPY三個繞組的2000/1的CT，進行0.5級繞組的比差角差測量時應按照圖3在紅外抄表等電路中，要用到38kHz載波來實現(xiàn)串口通訊，其串口就是普通的UART。本文總結(jié)出6種調(diào)製電路供大家參考。基於三態(tài)門的標準的調(diào)製方式：當UART_TX為低電平時，38kHz信號可以通過三態(tài)門?；痘蜷T的調(diào)製方式：上圖中，實際是當UART_TX和38kHz都為低電平時點亮紅外發(fā)射管，是個邏輯或的關係。也可以用或門來實現(xiàn)，如下圖：基於或非門的調(diào)製方式：當然也可以用或非門來實現(xiàn)，隻是改用高電平點亮紅外發(fā)射管，如下圖：基於三態(tài)門的又一種標準的調(diào)製方式：調(diào)製要求的是基頻信號有效時，讓高頻信號通過，其實高頻信號的高電平或低電平點亮紅外發(fā)射管都是可以的，下圖是用的高電平點亮紅外發(fā)射管：既然第1種方式實際實現(xiàn)了個邏輯或的關係，則輸入的2個信號互換也是可以的。.4.1進行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.6所示，斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)PID（PotentianInducedDegradation）是一種電勢誘導衰減現(xiàn)象，是指組件長期在高電壓下使得玻璃，封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池表麵。使得電池表麵的鈍化效果惡化，導致填充因子（FF），短路電流（Isc），開路電壓（Voc）降低，使得組件的性能低於設計標準，發(fā)電能力也隨之下降。2010年，NREL和Solon證實了無論組件采取何種技術的P型晶矽電池，組件在負偏壓下都有PID的風險。青島華能供應 CT綜合儀 原理用途