青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 試驗(yàn)方法HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.即使是今天日本的產(chǎn)品依舊具有“輕薄短小”的特點(diǎn)，很多產(chǎn)品依舊很。一些粗糙、不精致的產(chǎn)品也隨處可見。是產(chǎn)的，可以實(shí)際用作通過通話和通信，其大小約是3個(gè)100的日元硬幣，幾乎小到難以使用。就這在樣小巧的產(chǎn)品中卻安裝了用於通信的芯片、雖簡(jiǎn)易卻具備可以進(jìn)行簡(jiǎn)單的運(yùn)行程序的處理器，雖然不能用於主要用途（MainUse），但是可以用於緊急情況（Emergency）下使用。正在竭儘全力開發(fā)“輕薄短小”的產(chǎn)品像以上這樣的智能正誕生在。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。X射線光譜儀的好壞常常是以X射線強(qiáng)度測(cè)量的理論統(tǒng)計(jì)誤差來表示的，BX係列波長(zhǎng)色散X射線熒光儀的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性，已足以保證待測(cè)樣品測(cè)量的精度，被樣品的製樣技術(shù)成為影響準(zhǔn)確度的至關(guān)重要的因素，在樣品製備方麵所花的工夫?qū)?huì)反映在結(jié)果的質(zhì)量上。X射線熒光儀器誤差的來源主要有以下幾個(gè)方麵：1.采樣誤差：非均質(zhì)材料樣品的代表性2.樣品的製備：製樣技術(shù)的穩(wěn)定性產(chǎn)生均勻樣品的技術(shù)3.不適當(dāng)?shù)臉?biāo)樣：待測(cè)樣品是否在標(biāo)樣的組成範(fàn)圍內(nèi)標(biāo)樣元素測(cè)定值的準(zhǔn)確度標(biāo)樣與樣品的穩(wěn)定性4.儀器誤差：計(jì)數(shù)的統(tǒng)計(jì)誤差樣品的位置靈敏度和漂移重現(xiàn)性5.不適當(dāng)?shù)亩繑?shù)學(xué)模型：不正確的算法元素間的乾擾效應(yīng)未經(jīng)校正顆粒效應(yīng)純物質(zhì)的熒光強(qiáng)度隨顆粒的減小而增大，在多元素體係中，已經(jīng)證明一些元素的強(qiáng)度與吸收和增應(yīng)有關(guān)，這些效應(yīng)可以引起某些元素的強(qiáng)度增加和另一些元素的強(qiáng)度減小。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長(zhǎng)，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大乾擾，參見圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，冇有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，x1檔結(jié)構(gòu)模型當(dāng)信號(hào)頻率升高時(shí)，的容性負(fù)載效應(yīng)就變得更加顯著。x1檔位輸入電容通常為55±10pF，此時(shí)等同於在被測(cè)電路上加了一個(gè)低阻抗負(fù)載，在輸入電容為50pF時(shí)，若測(cè)試10MHz的信號(hào)，根據(jù)容抗計(jì)算公式：Xc(Cp)=1/（2×π×f×C），此時(shí)容抗約為318Ω，且x1檔時(shí)帶寬較低，測(cè)試出的結(jié)果是不準(zhǔn)確的。調(diào)整檔位的原因下圖是無源電壓x10檔的原理圖，其中，Rp(9MΩ)和C1位於內(nèi)，調(diào)節(jié)補(bǔ)償電容C3使得和示波器通道RC乘積相匹配，這樣就能保證顯示出來的波形正常，不會(huì)出現(xiàn)過補(bǔ)償或欠補(bǔ)償狀況。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3下文將從技術(shù)種類、產(chǎn)業(yè)機(jī)遇及國(guó)內(nèi)代表性企業(yè)近況等方麵對(duì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。封裝技術(shù)有哪些?封裝的分類方式有多種，如以封裝組合中芯片數(shù)目為依據(jù)可以分為單芯片封裝和多芯片封裝;以材料為依據(jù)可以分為高分子材料類和陶瓷類;以器件和電路板連接方式為依據(jù)可以分為引腳插入型和表麵貼裝型;以引腳分彆為依據(jù)可以分為單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳、底部引腳等。封裝技術(shù)曆經(jīng)多年發(fā)展，常見的類型有如下幾種：BGA(BallGridArraye)：球柵陣列封裝，表麵貼裝型封裝之一，是在封裝體基板的底部製作陣列焊球作為電路的I/O端與PCB板互接，由美國(guó)Motorola公司開發(fā)。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)對(duì)於各次測(cè)量和使用不同儀器的測(cè)量，噪聲係數(shù)測(cè)量總是要求高精度和重複性。精度和重複性保證了元件和子係統(tǒng)製造商和他們的客戶所進(jìn)行規(guī)定性能測(cè)量的一致性。噪聲係數(shù)基礎(chǔ)作為測(cè)量參數(shù)的噪聲係數(shù)早在二十世紀(jì)四時(shí)年代就開始使用，工程師HaroldFriis把它定義為用分貝(dB)表示的射頻或微波器件輸入處的信噪比(SNR)除以輸出處的SNR。從它的名稱可知，SNR是在給定傳輸環(huán)境中的信號(hào)電平與噪聲電平之比。SNR越高，就有越多的信號(hào)超過噪聲，使信號(hào)更容易檢測(cè)。青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 試驗(yàn)方法