青島華能HN係列 互感器全自動檢測裝置 售後完善HN10A互感器特性綜合測試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測量校核型號的CT、PT，包括保護CT、計量CT、TP級暫態(tài)CT、勵磁飽和電壓達到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.但問題來了，電動汽車電機的TN曲線和普通的電機不同，具有恒功率區(qū)域寬（一般恒功率區(qū)域能到峰值轉速的80%~）、峰值轉速高（10000rpm以上）的特點，這意味著電動汽車電機既能實現(xiàn)高速小扭矩工況，也能實現(xiàn)低速大扭矩工況，對測功機的TN特性提出了非常高的要求。這時我們發(fā)現(xiàn)，如果要滿足電動汽車電機的全程TN曲線加載，普通的測功機根本無法滿足。因為普通測功機一般是用磁滯製動器、電渦流製動器、磁粉製動器或變頻電機作為負載的，而這些機械負載的特性曲線，都各自存在自己的短板：磁粉製動器：可以輸出很大的扭矩，但一般隻能運行在低轉速（1000rpm）以下，隻適用於大扭矩、低轉速的電機測試場合。

自動給出點電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。具體為：在測距精度上，從初的米級逐步提高到分米級、厘米級，目前上進的臺站其測距精度已能達到毫米級。在測距能力上，從初的遠1～2km提高到2萬km，乃至3.6萬km。激光測月的實現(xiàn)使測距能力達到了38萬km。在測距頻率上，從初的每秒一次發(fā)展到目前每秒1～2次，更高頻率的激光測距（如1kHz測距）也在試驗中。在測距波長上，目前普遍采用的仍是單色測距係統(tǒng)，一些臺站也在使用雙色／多色激光測距係統(tǒng)。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側的連接，未接地的電力線較長，會給CT一次側的測量引入較大乾擾，參見圖3.4。

將CT一次側一端連接至CTPT儀CT一次側/PT二次側黑色端子將CT一次側另一端連接至CTPT儀CT一次側/PT二次側紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.3所示，斷開被測CT二次側和二次負荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進行CT或CT比差角差測試時，冇有測試的二次繞組應短接，否則測試誤差將會偏大保護10P10，半導體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關知識經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。暫態(tài)TPY三個繞組的2000/1的CT，進行0.5級繞組的比差角差測量時應按照圖3同時觀測了兩個通道的時域波形及頻譜，並且采用了重疊顯示，以便於頻譜之間的對比。SpectrumView支持移動SpectrumTime的位置，如標記處所示，以觀測不同時刻的頻譜。每個通道SpectrumTime的位置默認是聯(lián)動的，這保證了各個通道測試頻譜的相關性。當取消聯(lián)動設置後，也可以立設置每個通道的SpectrumTime位置。所有通道的頻譜共用相同的Span、RBW、FFTWindow，這一點與時域要求多通道間共用采樣率、水平時基及觸發(fā)類似。.4.1進行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.6所示，斷開PT二次側和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側/PT一次側的黑色端子連接至二次負荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側/PT一次側的紅色端子連接至二次負荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時，CT二次側/PT一次側的連接端子應保持在功率輸出端子的內側在實際應用中測量的電阻電壓越低，熱電效應就越顯著。所以這個電壓的影響取決於具體的應用。用戶的硬件係統(tǒng)很少有能力能消除熱電動勢電壓，因為在用繼電器係統(tǒng)模擬電阻時就應該考慮到這一點?；独^電器的高精度程控電阻模塊具有熱電動勢的是40-260，40-261，40-262，40-263和40-265。40-297係列具有低的熱電動勢，因為它使用的設計方法可以儘量的減少熱電效應，但是有更多的繼電器串聯(lián)。青島華能HN係列 互感器全自動檢測裝置 售後完善