青島華能供應(yīng) 全自動(dòng)電流互感器校驗(yàn)臺(tái) 廠家發(fā)貨HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.一丁點(diǎn)劇毒化學(xué)品的泄漏足以致人死亡，足以毀掉整個(gè)原生態(tài)。有鑒於此，有毒化學(xué)品在工業(yè)製造漸被禁止。但在現(xiàn)階段的采礦業(yè)中，和硫酸等有毒化學(xué)品還是廣泛地使用。於是，如何在極短的時(shí)間內(nèi)發(fā)現(xiàn)有毒化學(xué)品的泄漏，是監(jiān)測(cè)儀器製造商的使命，也是他們的商機(jī)。近加拿大技術(shù)專家IntelliView開(kāi)發(fā)出用於監(jiān)控地上設(shè)施的DCAM?雙攝像頭解決方案。IntelliView利用FLIRA65熱像儀，是為金礦開(kāi)采行業(yè)打造了一款根據(jù)溫度和發(fā)射率差異發(fā)現(xiàn)表麵液體泄漏的先進(jìn)解決方案。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。下表所示是電源模塊常用的一些關(guān)鍵元器件的降額參數(shù)要求：對(duì)於電源模塊的應(yīng)力設(shè)計(jì)，重點(diǎn)關(guān)注場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)、二極管、變壓器、功率電感、電解電容、限流電阻等。保證全電壓範(fàn)圍內(nèi)在穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、短路等極限條件下都能有足夠的降額，以保障產(chǎn)品的可靠性。對(duì)於某Vds電壓為100V的MOS管，作為電源模塊的主功率開(kāi)關(guān)管，實(shí)測(cè)其在輸入電壓下的狀態(tài)(如～3所示)，Vds=67.2V，降額因子0.672，滿足Ⅰ級(jí)降額，餘量很充足。

具體接線步驟和說(shuō)明如下：

斷開(kāi)電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長(zhǎng)，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大乾擾，參見(jiàn)圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開(kāi)被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，冇有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3如果長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量之後，建議按照上述步驟再一次進(jìn)行校零操作。如所示為測(cè)量功率為-65dBm，頻率為5GHz連續(xù)波信號(hào)的測(cè)量結(jié)果。連續(xù)波小信號(hào)測(cè)量817081703係列峰值測(cè)量小功率信號(hào)使用81702係列峰值測(cè)量脈衝信號(hào)，當(dāng)脈衝功率小於-10dBm時(shí)，或者使用81703係列峰值測(cè)量的脈衝功率小於-25dBm時(shí)，此時(shí)觸發(fā)電平受噪底的影響比較大，脈衝功率波動(dòng)的也比較大，從而導(dǎo)致內(nèi)部觸發(fā)方式觸發(fā)不到或者觸發(fā)不穩(wěn)定，直接影響信號(hào)測(cè)量波形和自動(dòng)測(cè)量參數(shù)無(wú)法測(cè)量或者測(cè)量結(jié)果不穩(wěn)定。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說(shuō)明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開(kāi)PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見(jiàn)圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)網(wǎng)絡(luò)(的電纜及元器件)能夠顯著減小進(jìn)入到周?chē)h(huán)境中而可能被攔截的電磁能輻射等級(jí)。不同乾擾場(chǎng)的選擇乾擾場(chǎng)主要有電磁乾擾及射頻乾擾兩種。電磁乾擾(EMI)主要是低頻乾擾，馬達(dá)、熒光燈以及電源線是通常的電磁乾擾源。射頻乾擾(RFI)是指無(wú)線頻率乾擾，主要是高頻乾擾。無(wú)線電、電視轉(zhuǎn)播、雷達(dá)及其他無(wú)線通訊是通常的射頻乾擾源。對(duì)於抵抗電磁乾擾，選擇編織為有效，因其具有較低的臨界電阻;對(duì)於射頻乾擾，箔層有效，因編織依賴於波長(zhǎng)的變化，它所產(chǎn)生的縫隙使得高頻信號(hào)可自由進(jìn)出導(dǎo)體;而對(duì)於高低頻混合的乾擾場(chǎng)，則要采用具有寬帶覆蓋功能的箔層加編織網(wǎng)的組合方式。青島華能供應(yīng) 全自動(dòng)電流互感器校驗(yàn)臺(tái) 廠家發(fā)貨