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HN8001A三相交直流指示儀表,電測(cè)儀表檢定裝置 青島華能供應(yīng) 電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)臺(tái) 生產(chǎn)廠家
本裝置是按照檢定規(guī)程JJG126-95《交流電量變換為直流電量電工測(cè)量變送器檢定規(guī)程》、JJG124-2005《電流表、電壓表、功率表和電阻表檢定規(guī)程》、JJG307-2006《機(jī)電式電能表檢定規(guī)程》的要求而設(shè)計(jì)的三相0.05級(jí)表源裝置??勺詣?dòng)或手動(dòng)檢驗(yàn)電力係統(tǒng)中工頻電表(電壓表、電流表、功率表、頻率表、功率因數(shù)表、相位表)、單相交流電能表(選項(xiàng))、三相交流電能表(選項(xiàng))以及直流電壓、電流表的基本誤差。CAN通訊中使用的是同步數(shù)據(jù)傳輸,CAN控製器在其通訊過(guò)程中會(huì)不停出現(xiàn)位同步的操作,但不同的數(shù)據(jù)通訊係統(tǒng)對(duì)位同步的要不同,為了滿足其要求,我們必須更加深入的來(lái)探討另一個(gè)概念叫位定時(shí)段的規(guī)格。位定時(shí)段的規(guī)格是根據(jù)數(shù)據(jù)通信係統(tǒng)的需求而確定的。如果要在特速率下實(shí)現(xiàn)的總線長(zhǎng)度或者在給定總線長(zhǎng)度的情況下實(shí)現(xiàn)短的等待時(shí)間(位速率),那麼用於重新同步的保留時(shí)間(相位緩衝段)必須保持。當(dāng)時(shí)間緩衝段設(shè)定為值時(shí),表示在一次重新同步當(dāng)中隻能校正|e|=1的相位誤差。
技術(shù)參數(shù):
交流電壓量程:57.7V,100V,220V,380V,500V 每檔輸出容量: 20VA;
交流電流量程:0.5A,1A ,2.5A,5A,10A,20A 大輸出容量 20VA;
交流電壓、電流調(diào)節(jié)範(fàn)圍:0~123%, 調(diào)節(jié)細(xì)度 5×10-5;
工頻交流電壓、電流、有功功率準(zhǔn)確度:0.05% FS;
無(wú)功功率的準(zhǔn)確度:0.1% FS;x1檔結(jié)構(gòu)模型當(dāng)信號(hào)頻率升高時(shí),的容性負(fù)載效應(yīng)就變得更加顯著。x1檔位輸入電容通常為55±10pF,此時(shí)等同於在被測(cè)電路上加了一個(gè)低阻抗負(fù)載,在輸入電容為50pF時(shí),若測(cè)試10MHz的信號(hào),根據(jù)容抗計(jì)算公式:Xc(Cp)=1/(2×π×f×C),此時(shí)容抗約為318Ω,且x1檔時(shí)帶寬較低,測(cè)試出的結(jié)果是不準(zhǔn)確的。調(diào)整檔位的原因下圖是無(wú)源電壓x10檔的原理圖,其中,Rp(9MΩ)和C1位於內(nèi),調(diào)節(jié)補(bǔ)償電容C3使得和示波器通道RC乘積相匹配,這樣就能保證顯示出來(lái)的波形正常,不會(huì)出現(xiàn)過(guò)補(bǔ)償或欠補(bǔ)償狀況。
電流對(duì)相電壓的相位準(zhǔn)確度:0.050;
頻 率 調(diào)節(jié)範(fàn)圍:45~65HZ, 調(diào)節(jié)細(xì)度 0.001HZ,調(diào)定值準(zhǔn)確度 5×10-5;
相 位 調(diào)節(jié)範(fàn)圍:0~359.990,調(diào)節(jié)細(xì)度 0.010;
交流電壓、電流輸出波形失真度:≤0.3%;
交流電壓、電流及功率輸出穩(wěn)定度: ≤0.01% FS/100s;
諧波2~21次,幅度0~20%,次諧波相位細(xì)度0.010·N(N為諧波次數(shù));
直流電壓量程:75、150、300、500V,每檔輸出容量100mA;
直流電流量程:0.5、1、2.5、5、10、20A ,大輸出容量20VA;
青島華能供應(yīng) 電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)臺(tái) 生產(chǎn)廠家世界半導(dǎo)體工業(yè)界,這種進(jìn)步至少仍將持續(xù)10到15年。麵對(duì)現(xiàn)有的晶體管模式及技術(shù)已經(jīng)臨近極限,借助芯片設(shè)計(jì)人員巨大的創(chuàng)造才能,使一個(gè)個(gè)看似不可逾越的難關(guān)化險(xiǎn)為夷,矽晶體管繼續(xù)著小型化的步伐。近期美國(guó)科學(xué)家的科技成果顯示,將10納米長(zhǎng)的圖案壓印在矽片上的時(shí)間為四百萬(wàn)分之一秒,把矽片上晶體管的密度提高了100倍,同時(shí)也大大提高了線生產(chǎn)的速度。這一成果將使電子產(chǎn)品繼續(xù)微小化,使摩爾定律繼續(xù)適用。