了解了隔離與非隔離DUT設(shè)備區(qū)別后，我們通過以下圖片了解CANDT系統(tǒng)中隔離與非隔離的接線區(qū)別以及其對(duì)測(cè)試的影響。隔離供電電路連接圖非隔離供電電路連接圖軟件設(shè)置供電類型隔離與非隔離對(duì)測(cè)試的影響，四種測(cè)試情況：被測(cè)件隔離供電，選用隔離供電測(cè)試；DUT接入隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中被測(cè)設(shè)備設(shè)置為隔離供電，測(cè)試可正確進(jìn)行；被測(cè)件非隔離供電，選用非隔離供電測(cè)試；DUT接入非隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中供電類型選擇非隔離供電，測(cè)試可正確進(jìn)行；被測(cè)件隔離供電，選用非隔離供電測(cè)試；DUT接入隔離供電端口，系統(tǒng)設(shè)置中供電類型選擇非隔離供電，此時(shí)無法形成供電回路，DUT無法正常工作。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡(jiǎn)介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的大功率半導(dǎo)體器件，主要并廣泛應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面，對(duì)可控硅性能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于電控系統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成，即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極。

技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量范圍：1~30000
■ PT變比測(cè)量范圍：1~30000青島華能CP/PT儀從古代的腳步丈量法到現(xiàn)如今測(cè)距的普及，測(cè)量工具在不斷的升級(jí)。但是有一點(diǎn)沒有改變，那就是測(cè)量者必須跟隨測(cè)量工具一起移動(dòng)到測(cè)量距離的一端。然而，通過使用VH-8測(cè)距儀，用戶可以測(cè)量線中間的任意位置來測(cè)量?jī)牲c(diǎn)之間的距離。在復(fù)雜的工作環(huán)境中測(cè)量時(shí)，經(jīng)常會(huì)感覺兩只手不夠用，通過使用VH-8都可以解決這些問題。VH-8測(cè)距儀一次可以測(cè)量三個(gè)數(shù)值：從測(cè)距儀到左端的距離、從測(cè)距儀到右端的距離和從左到右的直線距離。