電源、電器及通信線纜的敷設(shè)測(cè)徑儀系統(tǒng)的線纜請(qǐng)按圖敷設(shè)，見設(shè)備安裝圖《測(cè)徑儀現(xiàn)場(chǎng)布線圖》。供電部分：由控制室預(yù)留的動(dòng)力電源提供給主控機(jī)柜，輸入到主控機(jī)柜的電源必須先經(jīng)過交流凈化穩(wěn)壓電源，然后再由主控機(jī)柜轉(zhuǎn)接到測(cè)量車和LED顯示屏。高壓離心通風(fēng)機(jī)的動(dòng)力電就近連接。信號(hào)部分：主控機(jī)柜與測(cè)量車之間采用TCP/IP協(xié)議光纜連接（使用一對(duì)，備用一對(duì)）。主控機(jī)柜與現(xiàn)場(chǎng)LED顯示屏之間采用TCP/IP協(xié)議光纜連接（使用一對(duì)，備用一對(duì)）。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN60介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x 華能變壓器容量特性測(cè)試儀 變壓器空載及負(fù)載測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30AHN60介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x 華能變壓器容量特性測(cè)試儀 變壓器空載及負(fù)載測(cè)試儀巴氏酵母和短乳桿菌分離的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。在入口處（即A-A），巴氏酵母和短乳桿菌隨機(jī)分散。在慣性分餾（即B-B）之后，巴氏酵母沿著通道的內(nèi)壁聚焦，并且通過在分叉點(diǎn)處放置適當(dāng)?shù)某隹冢梢苑蛛x這些細(xì)胞。在梯形截面的螺旋通道中，通過慣性升力和迪恩阻力的聯(lián)合作用，內(nèi)壁受力大于外壁，酵母細(xì)胞向出口內(nèi)壁遷移。研究人員通過，選擇1.5mL/min的流速作為流速，對(duì)巴氏酵母可以實(shí)現(xiàn)超過90％的分離效率。此外，為了提高短乳桿菌的分離效率，將其通過螺旋微通道再循環(huán)三次，分離效率可達(dá)90％以上。