因?yàn)樵诖蠊β实膽?yīng)用中，需要配置散熱裝置，所以這將增大解決方案的尺寸。充電泵通過采用“快速”電容器(作為存儲組件)來提高/降低直流電壓或改變其極性，同時(shí)采用內(nèi)部開關(guān)來連接電容器，使其能夠進(jìn)行所需的DC/DC轉(zhuǎn)換。一般而言，充電泵要比感應(yīng)式轉(zhuǎn)換開關(guān)的成本低，而且不會(huì)產(chǎn)生電磁干擾。充電泵的輸出紋波通常比感應(yīng)式轉(zhuǎn)換開關(guān)大，充電泵在輸出功率方面也受到限制。同時(shí)，其瞬態(tài)響應(yīng)受到快速電容器充電速率的限制。另外，在輸入電壓和輸出電壓相當(dāng)?shù)膽?yīng)用中，充電泵的效率通常相當(dāng)?shù)汀?br> HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀  遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測試儀 變壓器綜合參數(shù)測試儀

   該儀器可用正、反接線方法測量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測量。

抗干擾介損自動(dòng)測試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻此外，為了實(shí)現(xiàn)高波長分辨率，這個(gè)方法需要小區(qū)域探測器。較小的探測器區(qū)域能夠減少總體光采集，并因此降低了靈敏度。在種方法中，衍射光柵和聚焦目標(biāo)的位置是固定的，并且色散光聚焦在一個(gè)探測器的線性陣列上。由于這些波長在空間上被光柵隔離開來，探測器陣列中的每個(gè)探測器采集小波長范圍內(nèi)的光，而作為離散波長函數(shù)的功率的獲得方法與在數(shù)碼相機(jī)上進(jìn)行圖像采集的方法相類似。這就免除了對于機(jī)械系統(tǒng)和精密同步電子元器件的需要。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 高壓介質(zhì)損耗測試儀 變壓器綜合參數(shù)測試儀一般可用多輸入通道實(shí)現(xiàn)滑動(dòng)按鍵或旋轉(zhuǎn)按鍵，而的QT系列芯片只用三個(gè)分辨率為7位(128點(diǎn))的通道就能實(shí)現(xiàn)高分辨率線性滑動(dòng)或旋轉(zhuǎn)界面。其他可能性很多設(shè)計(jì)師都利用QT芯片來替代電阻式觸摸屏。因?yàn)樵摲椒ㄖ恍枰獙瓮该鲗愉佋O(shè)在屏幕上用于感測，與多層電阻式技術(shù)相比，對光線的吸收大大降低。OEM廠家還使用多通道傳感器來實(shí)現(xiàn)可編程的不透明觸摸表面，面板的配置由軟件來調(diào)配，這能幫助降低材料成本。同樣的辦法還為用戶依據(jù)個(gè)人喜好配置觸摸屏提供了可能，用戶可從網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器規(guī)格，或者自己運(yùn)行一個(gè)配置程序。