然后再使用另一條1m電纜從配線架連接到，所以從一個(gè)SMU到DUT的三芯同軸電纜的總長(zhǎng)度是：(2x2m)+(2x5m)+(1m)=15m。除了三芯同軸電纜外，開關(guān)矩陣本身也增加了電容，在計(jì)算測(cè)試系統(tǒng)總電容時(shí)可能需要包括進(jìn)去。在測(cè)量通過(guò)開關(guān)矩陣連接的FET器件的輸出特點(diǎn)時(shí)，使用兩個(gè)4211-SMU較使用兩個(gè)傳統(tǒng)SMU的結(jié)果明顯改善。在這項(xiàng)測(cè)試中，其中一個(gè)SMU被偏置恒定柵極電壓，另一個(gè)SMU掃描漏極電壓，測(cè)量得到的漏極電流。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 多通道介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器變比組別測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻也因?yàn)槔硐氲脑骷c現(xiàn)況的差異，導(dǎo)致我們?cè)跍y(cè)量時(shí)就得特別注意，也必須特別考慮測(cè)量方法和選擇測(cè)試條件。再來(lái)是電感器的頻率響應(yīng)特性。個(gè)是關(guān)于普通電感，由于來(lái)自線纜電阻和寄生電容的影響，也會(huì)使得實(shí)際的阻抗值和理想值間有所偏差，特別是在高頻的時(shí)候。另外，高磁芯損耗的電感則是由于寄生電容和磁芯損耗的影響，同樣會(huì)產(chǎn)生與理論值間的偏差。后是關(guān)于電容器頻率響應(yīng)的特性，是因?yàn)榈刃Т?lián)電阻的影響，使得實(shí)際測(cè)量結(jié)果與理論值有所偏差。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 多通道介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器變比組別測(cè)試儀噪聲噪聲是開關(guān)電源自身產(chǎn)生一種高頻脈沖串，由發(fā)生在開關(guān)導(dǎo)通與截止瞬間產(chǎn)生的尖脈沖所造成，噪聲的頻率比開關(guān)頻率高的多，噪聲電壓的大小很大程度上與開關(guān)電源的拓?fù)?、變壓器的繞制、電路中的寄生參數(shù)、測(cè)試時(shí)外部的電磁環(huán)境以及PCB的布線設(shè)計(jì)有關(guān)?；诖?，紋波和噪聲的區(qū)分就很好理解了。下面開始討論測(cè)量。不同示波器測(cè)試結(jié)果相差的原因如果不同示波器之間的差別很大，一般是如下幾個(gè)原因：未使用20M帶寬限制不同的帶寬引入的噪聲值不同，噪聲值會(huì)直接影響Pk-Pk值測(cè)量。