在過去25年里，微控制器的內(nèi)部外設(shè)發(fā)生了巨大的變化。初許多微控制器只包含RAM、ROM，也許還有基本的定時(shí)器。隨著微控制器的發(fā)展，更多的外設(shè)被基礎(chǔ)到這種單價(jià)不超過一美元的器件中。定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、PWM和包括UART、SPI和I2C在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)串行接口常用于這些廉價(jià)的微控制器。另一個(gè)重大變化是32位CPU正在取代同一價(jià)格范圍的8位器件。但是即便有如此豐富的特性，對(duì)于廉價(jià)微控制器而言，隨時(shí)都存在微控制器廠商不能迅速支持的項(xiàng)目硬件接口或新的方接口。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN60介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能變壓器油色譜儀 變電站電容電流測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻MOSI-主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸入;MISO–主設(shè)備數(shù)據(jù)輸入，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸出;SCLK–時(shí)鐘信號(hào)，由主設(shè)備產(chǎn)生;SS–從設(shè)備使能信號(hào)，有主設(shè)備控制;SPI標(biāo)準(zhǔn)通訊接口SPI通訊接口的優(yōu)點(diǎn)是傳輸數(shù)據(jù)快，能達(dá)到幾兆到幾十兆，并且沒有系統(tǒng)開銷。SPI總線的缺點(diǎn)也比較明顯，主要是沒有的流控制，也沒有應(yīng)答機(jī)制確認(rèn)是否接收到數(shù)據(jù)。單線SPI接口還有一種另類的SPI通訊接口方式。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30AHN60介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能變壓器油色譜儀 變電站電容電流測(cè)試儀因?yàn)轱@示給出千分之一分貝的功率或分?jǐn)?shù)赫茲的頻率并不意味著該儀有測(cè)量這些細(xì)微變化的能力。通常這些顯示的位數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了儀器在這一水平的測(cè)量能力。要充分了解一個(gè)射頻儀器的測(cè)量能力，往往要參考說明書或數(shù)據(jù)表。前后一致的定義可以減少您測(cè)量中可能出現(xiàn)的混淆。以下是您在使用中會(huì)經(jīng)?？吹降囊恍╆P(guān)鍵術(shù)語(yǔ)：分辨率－儀器所能可靠檢測(cè)到的改變；重復(fù)性－在同樣條件下多次進(jìn)行同一測(cè)量獲得相同結(jié)果的能力；不確定性－對(duì)被測(cè)量的準(zhǔn)確值缺乏認(rèn)知部分的量化；精度－儀器在一定誤差范圍內(nèi)測(cè)量一個(gè)參數(shù)實(shí)際/值的能力。