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Simplelink傳感器控制器是的16位處理單元(CPU)核心,在活動(dòng)模式、待機(jī)模式和啟動(dòng)耗能階段均只消耗極低功率。如圖2所示,該傳感器控制器包括模擬和數(shù)字外圍設(shè)備,它們專為實(shí)現(xiàn)功率而進(jìn)行了優(yōu)化。利用這些外圍設(shè)備和2MHz時(shí)鐘模式,使得該控制器非常適合感應(yīng)式測(cè)量應(yīng)用,從而實(shí)現(xiàn)功率:,基于感應(yīng)式測(cè)量原則,可以在100Hz時(shí)達(dá)到低至3.9μA的平均電流消耗值。欲了解詳情,請(qǐng)參閱流量表應(yīng)用示例,閱讀“采用CC13x2R無線MCU的單芯片流量表解決方案。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 三相變比組別測(cè)試儀
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。
抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
1、準(zhǔn)確度:
Cx: ±(讀數(shù)×1%+1pF)
tg: ±(讀數(shù)×1%+0.00040)
2、抗干擾指標(biāo): 變頻抗干擾,在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
3、電容量范圍:
內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
分辨率: 更高0.001pF,4位有效數(shù)字
4、tg范圍: 不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
5、試驗(yàn)電流范圍:10μA~1A
6、內(nèi)施高壓:
設(shè)定電壓范圍:0.5~10kV
輸出電流:200mA
升降壓方式: 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
試驗(yàn)頻率:
45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻無論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車間,都需要采用更的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺(tái)和PXI功能,以幫助芯片制造商應(yīng)對(duì)他們面臨的挑戰(zhàn),這一點(diǎn)通過NI的PXISMU可以完全體現(xiàn)出來。”由于其高吞吐量、高性價(jià)比和占地面積小,NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能,它能提供更高的直流通道密度,使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的并行性,以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的測(cè)量質(zhì)量。
頻率準(zhǔn)度: ±0.01Hz
7、外施高壓:
正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
8、CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30A遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 三相變比組別測(cè)試儀對(duì)于極性大、脂溶性差物質(zhì),在YWGCl8柱上不易保留,用十二烷基磺酸鈉作為離子對(duì)試劑,降低其極性,延長柱上的保留時(shí)間,取得較好的分離較果。將液相色譜和質(zhì)譜這兩個(gè)強(qiáng)有力的技術(shù)在線連接在一起,經(jīng)過三十年的發(fā)展已成為一項(xiàng)較為成熟的手段,但是它從形成伊始就存在著問題:從液相色譜流進(jìn)質(zhì)譜時(shí),流動(dòng)相的變化、溶劑的組成、高溫高壓離子化的問題制約著這種聯(lián)用技術(shù)發(fā)展,大氣壓離子化接口具有去除溶劑和離子化的雙重功效,它的引入,使得該技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。