特高壓輸電線路由于電壓更高、導(dǎo)線截面大等特點(diǎn)，現(xiàn)有可聽(tīng)噪聲方法已不再適用。如何實(shí)現(xiàn)特高壓輸電線路可聽(tīng)噪聲的準(zhǔn)確，已成為特高壓輸電線路設(shè)計(jì)和建設(shè)時(shí)一個(gè)亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。輸電線路電暈放電可聽(tīng)噪聲的產(chǎn)生及特性在空氣中，各樣的聲音都起始于空氣的振動(dòng)，可聽(tīng)噪聲也不例外。電暈放電過(guò)程中可聽(tīng)噪聲是如何產(chǎn)生的？具有怎樣的特性？下面將對(duì)這些問(wèn)題進(jìn)行回答。輸電線路導(dǎo)線表面由于制造工藝帶來(lái)的毛刺及長(zhǎng)期運(yùn)行導(dǎo)線的積污和腐蝕等原因，導(dǎo)線表面會(huì)存在一定的缺陷，造成導(dǎo)線表面附近的電場(chǎng)強(qiáng)度增大。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器空負(fù)載測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻無(wú)論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車(chē)間，都需要采用更的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺(tái)和PXI功能，以幫助芯片制造商應(yīng)對(duì)他們面臨的挑戰(zhàn)，這一點(diǎn)通過(guò)NI的PXISMU可以完全體現(xiàn)出來(lái)?！庇捎谄涓咄掏铝俊⒏咝?xún)r(jià)比和占地面積小，NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的并行性，以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的測(cè)量質(zhì)量。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器空負(fù)載測(cè)試儀實(shí)際值將與兩個(gè)線圈之間的距離成反比，且如果初級(jí)和次級(jí)未對(duì)準(zhǔn)，則實(shí)際值也將減小。然而，通過(guò)在初級(jí)和次級(jí)引入磁共振可改善這種情況。通過(guò)使用兩個(gè)調(diào)諧電路，功率以特定的頻率傳輸，且與非諧振方法相比，功率傳輸?shù)哪苄Э山醴丁?采用諧振方法的無(wú)線功率傳輸這種方法的另一優(yōu)點(diǎn)是具有更好的電磁干擾(EMI)性能，這對(duì)無(wú)線充電的大規(guī)模推廣至關(guān)重要。它還允許使用諸如零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)等技術(shù)，這兩種技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)極高能效的功率傳輸都起著重要作用。