系統(tǒng)描述AOI是檢測(cè)PCB表面圖形品質(zhì)(如表面缺陷、斷路和短路)的設(shè)備，用于生產(chǎn)過(guò)程中半成品品質(zhì)檢測(cè)，是高精密單層印制板，尤其是多層印制板加工的關(guān)鍵技術(shù)。測(cè)試系統(tǒng)集光學(xué)、精密機(jī)械、識(shí)別診斷算法和計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體。檢測(cè)時(shí)，機(jī)器通過(guò)電荷耦合器件(CCD)或自動(dòng)掃描PCB，采集圖像后送與計(jì)算機(jī)處理，再與數(shù)據(jù)庫(kù)中的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)比較，查出PCB上缺陷，用顯示器或自動(dòng)標(biāo)識(shí)系統(tǒng)顯示或標(biāo)識(shí)缺陷，供維修人員修理。項(xiàng)目產(chǎn)品清單主控設(shè)備：研祥EPI整機(jī)IPC-685E該主控設(shè)備的主板是一款采用IntelG41芯片組，支持IntelLGA775封裝雙核、四核E53、E84、Q94等系列CPU的高性能平臺(tái)；支持2條8/166M的DDR3內(nèi)存條，總?cè)萘恐С?GB；板載1個(gè)1/1/1Mbps網(wǎng)絡(luò)接口；支持VGA+VGA雙顯示功能；支持4個(gè)SATA接口；USB2.接口、2個(gè)串口(其中1個(gè)支持RS-232/RS-422/RS-485)、1個(gè)并口等豐富的I/O接口。

HN6300接地引下線(xiàn)導(dǎo)通測(cè)試儀導(dǎo)通電阻測(cè)試儀 手持式直流電阻測(cè)試儀 規(guī)格齊全

產(chǎn)品用途
   接地引下線(xiàn)導(dǎo)通測(cè)試儀 適用于適用于電力設(shè)備接地引下線(xiàn)與接地網(wǎng)（或相鄰設(shè)備）之間導(dǎo)通電阻值的測(cè)量，同樣適用于低阻值電阻的測(cè)量。HN6300接地引下線(xiàn)導(dǎo)通測(cè)試儀根據(jù)直流電路的基本計(jì)算公式R=U/I和串聯(lián)電路電流處處相等的原理，采用四線(xiàn)制測(cè)量原理，大電流恒流輸出有效地消除了測(cè)試線(xiàn)阻值對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，此儀器交直流兩用，LCD液晶顯示，操作極其簡(jiǎn)單且具有報(bào)警提示功能。原理圖如下：

二、主要技術(shù)指標(biāo)：

 測(cè)量范圍：0～2000mΩ   分辨率：1mΩ

   輸出電流：30A恒流輸出

     測(cè)量準(zhǔn)度：±（1%+2d）

測(cè)量半徑: 50米  

顯示方式: 12864液晶顯示

工作溫度: -10℃～+50℃

據(jù)悉，接收器的靈敏度是GPS測(cè)試中一項(xiàng)很關(guān)鍵的內(nèi)容。主要測(cè)試內(nèi)容是捕獲靈敏度和跟蹤靈敏度。一般而言，地基天線(xiàn)接收到的RF(射頻)功率水平介于-125dBm至-150dBm之間，具體取決于環(huán)境因素。為產(chǎn)生此范圍內(nèi)的極低RF功率水平，有必要采用外部無(wú)源衰減器來(lái)降低LabSat輸出功率。如此以來(lái)，信號(hào)水平可被降至所需范圍，并具有的附加噪聲。衰減器的實(shí)測(cè)值應(yīng)由用戶(hù)確定，以適合待測(cè)試的設(shè)備，但作為一項(xiàng)指南，兩個(gè)并用20dB衰減器(共計(jì)40dB)可提供的RF功率范圍約為-125至-155dBm。

三、操作方法：

1．儀器在使用前先插上電源線(xiàn)打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)。

2．先找出與地網(wǎng)連接良好的引下線(xiàn)作為基準(zhǔn)點(diǎn)（可用測(cè)量地網(wǎng)接地電阻的方法找出基準(zhǔn)點(diǎn)）。

3．使用儀器自配的兩根測(cè)量線(xiàn)（50米，5米），大小端子（共四個(gè)）分別插入儀器的接線(xiàn)柱，（注：粗線(xiàn)端子插電流接線(xiàn)柱，細(xì)線(xiàn)端子插電壓接線(xiàn)柱，且紅黑顏色對(duì)應(yīng)）。

   4．（5米）帶有夾子的一端與基準(zhǔn)點(diǎn)連接好，線(xiàn)盤(pán)（50米）夾子的一端與被測(cè)點(diǎn)連接好。

   5．打開(kāi)測(cè)量開(kāi)關(guān)，待數(shù)據(jù)穩(wěn)定后即可得到測(cè)量結(jié)果。每年都有新發(fā)布，大家都在追逐更高的性能，除了主CPU頻率高以外，還需要關(guān)注GPU，同時(shí)RAM也要越大越好，存儲(chǔ)芯片對(duì)速度的影響，大家又知道多少呢？普及，諾基亞無(wú)可替代20世紀(jì)90年代，風(fēng)靡世界是諾基亞，他推出的1100,1110，3210等型號(hào)，占領(lǐng)了當(dāng)時(shí)80%市場(chǎng)。諾基亞里面集成了Intel的NorFlash芯片，他的快讀取速度僅為5MB/S，這個(gè)速度，應(yīng)付當(dāng)年的游戲“貪吃蛇”的應(yīng)用是足夠了。

四、注意事項(xiàng)

    1．應(yīng)使用儀器所配備的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量線(xiàn)，且必須按照正確的接線(xiàn)方法接線(xiàn)：電流與電壓接線(xiàn)必須同極性（顏色對(duì)應(yīng)）；粗接線(xiàn)柱接電流線(xiàn)，細(xì)接線(xiàn)柱接電壓線(xiàn)。

2．在測(cè)量前應(yīng)對(duì)基準(zhǔn)點(diǎn)及被測(cè)點(diǎn)表面的氧化層進(jìn)行處理。

3．測(cè)試時(shí)如果表頭顯示數(shù)據(jù)不穩(wěn)定，即有可能是連接點(diǎn)已松脫或是夾子接觸，去掉氧化層即可。

4．?dāng)?shù)據(jù)穩(wěn)定后，不宜長(zhǎng)時(shí)間按住測(cè)量鍵。

5．儀器存放在通風(fēng)干燥的環(huán)境中，應(yīng)避免雨淋。當(dāng)總線(xiàn)接口受到靜電放電時(shí)，由于總線(xiàn)側(cè)懸空，能量只能通過(guò)隔離柵的等效電容Ciso進(jìn)行泄放，由于Ciso非常小，僅有幾皮法至十幾皮法，Ciso被迅速充電，兩端電壓Viso會(huì)非常高，幾乎等同于放電電壓。電壓施加在隔離接口模塊的隔離柵，若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍，則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部隔離柵損壞。圖3對(duì)于一般的隔離接口模塊，隔離柵可承受的靜電放電電壓只有4kV，對(duì)于更高等級(jí)的6kV或8kV的靜電來(lái)說(shuō)是非常脆弱的，極易出現(xiàn)損壞情況。