對(duì)有源天線陣列進(jìn)行校準(zhǔn)需要很長(zhǎng)的生產(chǎn)測(cè)試時(shí)間。大型陣列可能包含成百上千個(gè)陣元，有必要通過表征這些陣元間的相位和增益關(guān)系，以確保精密的波束賦形。而且，進(jìn)行陣元調(diào)整所需的測(cè)試時(shí)間會(huì)隨著陣元數(shù)量的增加而大幅增長(zhǎng)。使用多個(gè)相參測(cè)量通道能夠有效地縮短測(cè)試時(shí)間?，F(xiàn)在通常使用一臺(tái)多端口網(wǎng)絡(luò)儀在天線上執(zhí)行相對(duì)增益和相位測(cè)量，一般是通過開關(guān)矩陣對(duì)所有的天線端口或通道執(zhí)行這種測(cè)量。這會(huì)產(chǎn)生很長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間，尤其是對(duì)包含成百上千陣元的陣列。
HN7031A全自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀電容電流測(cè)試儀 絕緣油色譜儀 手持式變壓器變比組別測(cè)試儀 長(zhǎng)期供應(yīng)

自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀 可以在不拆線的狀態(tài)下，直接測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單相電容或組合連接類型的三相電容器，也能夠測(cè)量電抗器的電感，接線簡(jiǎn)單，測(cè)試、記錄方便，大大提高了工作效率。

功能特點(diǎn)
    1、內(nèi)部自帶電馳，自動(dòng)數(shù)字合成產(chǎn)生三相大功率測(cè)試電源，不用外接電源即可使用；
    2、儀器可在不拆線情況下測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單個(gè)單相電容及測(cè)量連接類型的三相電容；
    3、可三相同測(cè)或測(cè)量三只并聯(lián)電容器或電抗器；
    4、儀器可以測(cè)量電抗器的電感量；
    5、儀器可以測(cè)量工頻電流的幅值以及電流中2－32次的諧波含量；
    6、儀器可顯示出在測(cè)量電容器或電抗器的過程中測(cè)量的電壓、電流、功率、相位角、阻抗等數(shù)據(jù)，以便更好的問題所在；

如果采用傳統(tǒng)的單機(jī)測(cè)試方式，就存在工況轉(zhuǎn)換的銜接過程，難以進(jìn)行仿真與測(cè)試，這樣的銜接過程往往是系統(tǒng)容易產(chǎn)生故障的環(huán)節(jié)。正因如此，就需要一個(gè)軟硬件結(jié)合的電源自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)來完成對(duì)航天電源系統(tǒng)性能的測(cè)試。傳統(tǒng)的電源測(cè)試系統(tǒng)由于通用性低，價(jià)格昂貴且難于操作維護(hù)，已經(jīng)不能滿足日益發(fā)展的航天電源系統(tǒng)的測(cè)試需求，需要有一套可以同時(shí)具有高靈活度、高度、高性價(jià)比、高可操作性等特點(diǎn)于一身的電源測(cè)試系統(tǒng)來適應(yīng)行業(yè)的發(fā)展，這樣的系統(tǒng)是測(cè)試航天電源比較理想的選擇方案，在航天電源測(cè)試領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用前景。
HN7033A自動(dòng)電容電流測(cè)試儀

直接從PT的二次側(cè)測(cè)量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測(cè)試方法相比，該儀器無需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無需做繁雜的安措施和等待冗長(zhǎng)的調(diào)度命令，只需將測(cè)量線接于PT的開口三角端就可以測(cè)量出電容電流的數(shù)據(jù)。

自動(dòng)電容電流測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、測(cè)量范圍：對(duì)地總電容 ≤120μF（三相對(duì)地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng) ）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng) ）
    2、測(cè)量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%電容電流測(cè)試儀 絕緣油色譜儀 手持式變壓器變比組別測(cè)試儀 長(zhǎng)期供應(yīng)無論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺(tái)和PXI功能，以幫助芯片制造商應(yīng)對(duì)他們面臨的挑戰(zhàn)，這一點(diǎn)通過NI的PXISMU可以完全體現(xiàn)出來?！庇捎谄涓咄掏铝?、高性價(jià)比和占地面積小，NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的并行性，以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的測(cè)量質(zhì)量。