有了低通濾波，就能濾除高頻信號(hào)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而達(dá)到測(cè)量的目的。工程上低通濾波萬(wàn)用表能解決哪些實(shí)際應(yīng)用？可以測(cè)量變頻器或逆變器的基波信號(hào)可以用于逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)如何選擇一款合適您的萬(wàn)用表呢？目前市場(chǎng)上萬(wàn)用表款式繁多，該如何選擇一款好用而又高性?xún)r(jià)比的萬(wàn)用表呢？使用優(yōu)利德帶LPF功能的萬(wàn)用表/鉗型表（優(yōu)利德UT171/181系列等），內(nèi)置低通濾波器會(huì)攔截高于1KHz的信號(hào)，弱化低于1KHz高于100Hz的信號(hào)。
HN7031A全自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀配電網(wǎng)電容電流測(cè)試儀 可定制 變壓器空負(fù)載測(cè)試儀

自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀 可以在不拆線的狀態(tài)下，直接測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單相電容或組合連接類(lèi)型的三相電容器，也能夠測(cè)量電抗器的電感，接線簡(jiǎn)單，測(cè)試、記錄方便，大大提高了工作效率。

功能特點(diǎn)
    1、內(nèi)部自帶電馳，自動(dòng)數(shù)字合成產(chǎn)生三相大功率測(cè)試電源，不用外接電源即可使用；
    2、儀器可在不拆線情況下測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單個(gè)單相電容及測(cè)量連接類(lèi)型的三相電容；
    3、可三相同測(cè)或測(cè)量三只并聯(lián)電容器或電抗器；
    4、儀器可以測(cè)量電抗器的電感量；
    5、儀器可以測(cè)量工頻電流的幅值以及電流中2－32次的諧波含量；
    6、儀器可顯示出在測(cè)量電容器或電抗器的過(guò)程中測(cè)量的電壓、電流、功率、相位角、阻抗等數(shù)據(jù)，以便更好的問(wèn)題所在；

對(duì)于紅外探測(cè)器的工作原理你了解多少呢？本文將為大家解析非制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)原理及機(jī)芯介紹。非制冷紅外技術(shù)原理非制冷紅外探測(cè)器利用紅外輻射的熱效應(yīng)，由紅外吸收材料將紅外輻射能轉(zhuǎn)換成熱能，引起敏感元件溫度上升。敏感元件的某個(gè)物理參數(shù)隨之發(fā)生變化，再通過(guò)所設(shè)計(jì)的某種轉(zhuǎn)換機(jī)制轉(zhuǎn)換為電信號(hào)或可見(jiàn)光信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)物體的探測(cè)。非制冷紅外焦平面探測(cè)器分類(lèi)非制冷紅外焦平面探測(cè)器是熱成像系統(tǒng)的核心部件。以下介紹了非制冷紅外焦平面探測(cè)器的工作原理及微測(cè)輻射熱計(jì)、讀出電路、真空封裝三大技術(shù)模塊，了影響其性能的關(guān)鍵參數(shù)。
HN7033A自動(dòng)電容電流測(cè)試儀

直接從PT的二次側(cè)測(cè)量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測(cè)試方法相比，該儀器無(wú)需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無(wú)需做繁雜的安措施和等待冗長(zhǎng)的調(diào)度命令，只需將測(cè)量線接于PT的開(kāi)口三角端就可以測(cè)量出電容電流的數(shù)據(jù)。

自動(dòng)電容電流測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、測(cè)量范圍：對(duì)地總電容 ≤120μF（三相對(duì)地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng) ）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng) ）
    2、測(cè)量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%配電網(wǎng)電容電流測(cè)試儀 可定制 變壓器空負(fù)載測(cè)試儀在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車(chē)輛熔斷器國(guó)標(biāo)中，對(duì)熔斷器的參數(shù)定義及測(cè)試指標(biāo)做了詳細(xì)的說(shuō)明。完整的絲相關(guān)測(cè)試包含導(dǎo)通壓降測(cè)試，熔斷時(shí)間，級(jí)進(jìn)電流及分段能力測(cè)試。本文主要以SF3和SF51為待測(cè)對(duì)象，重點(diǎn)介紹熔斷時(shí)間測(cè)試。熔斷時(shí)間實(shí)驗(yàn)要求下圖摘自ISO882-1_27國(guó)標(biāo)中針對(duì)SF3和SF51的熔斷測(cè)試要求，熔斷時(shí)間需在過(guò)載電流從1.1IR~6.IR范圍內(nèi)測(cè)試，當(dāng)過(guò)載電流越大，熔斷時(shí)間越快。