由于雙電層電容的充放電純屬于物理過(guò)程，其循環(huán)次數(shù)高，充電過(guò)程快，因此比較適合在電動(dòng)車中應(yīng)用。雙電層超級(jí)電容是靠極化電解液來(lái)儲(chǔ)存電能的一種新型儲(chǔ)能裝置，其原理結(jié)構(gòu)如圖l所示。當(dāng)向電極充電時(shí)，處于理想化電極狀態(tài)的電極表面電荷將吸引周圍電解質(zhì)溶液中的離子，使這些離子附于電極表面形成雙電荷層，構(gòu)成雙電層電容。由于超級(jí)電容與傳統(tǒng)電容相比，儲(chǔ)存電荷的面積大得多，電荷被隔離的距離小得多，因此一個(gè)超級(jí)電容單元的電容量就高達(dá)幾法至數(shù)萬(wàn)法。
HN7010A系列直流電阻測(cè)試儀常州 手持式直流電阻測(cè)試儀 價(jià)格 高壓介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x5年保修
產(chǎn)品概述

變壓器的直流電阻是變壓器制造中半成品、成品出廠試驗(yàn)、安裝、交接試驗(yàn)及電力部門預(yù)防性試驗(yàn)的必測(cè)項(xiàng)目，能有效發(fā)現(xiàn)變壓器線圈的選材、焊接、連接部位松動(dòng)、缺股、斷線等制造缺陷和運(yùn)行后存在的隱患。

二、功能特點(diǎn)

l 對(duì)星型接法有中性點(diǎn)引出的繞組測(cè)試時(shí)，儀器可以采取三相同時(shí)測(cè)量的方式測(cè)試A0、B0、C0相的直流電阻，大大節(jié)省測(cè)試時(shí)間；

l 顯示、打印變壓器的高中低壓繞組的測(cè)試數(shù)據(jù)，并自動(dòng)計(jì)算出三相不平衡率；

l 具有完善的反電勢(shì)保護(hù)功能；

涂鍍層測(cè)厚儀的測(cè)量方法的測(cè)量方法主要分為以下幾種：磁性測(cè)厚法：適用導(dǎo)磁材料上的非導(dǎo)磁層厚度測(cè)量。導(dǎo)磁材料一般為：鋼\鐵\銀\鎳。此種方法測(cè)量精度高；渦流測(cè)厚法：適用導(dǎo)電金屬上的非導(dǎo)電層厚度測(cè)量。此種方法較磁性測(cè)厚法精度低；超聲波測(cè)厚法：目前國(guó)內(nèi)還沒(méi)有用此種方法測(cè)量涂鍍層厚度的，國(guó)外個(gè)別廠家有這樣的儀器，適用多層涂鍍層厚度的測(cè)量或則是以上兩種方法都無(wú)法測(cè)量的場(chǎng)合。但一般價(jià)格昂貴\測(cè)量精度也不高；電解測(cè)厚法：此方法有別于以上三種，不屬于無(wú)損檢測(cè)，需要破壞涂鍍層。

三、技術(shù)參數(shù)

輸出電流   三相測(cè)試：2*10A、2*5A、2*2A

單相測(cè)試：20A、10A、2A

測(cè)試范圍   2*10A：500μΩ～500mΩ

2*5A： 1mΩ～1Ω

2*2A： 2.5mΩ～2.5Ω

20A：  250μΩ～1Ω

10A：  500μΩ～2Ω

2A：   2.5mΩ～10Ω

分 辨 率   0.1μΩ

測(cè)量精度   ±(0.2%讀數(shù)+2字)

外形尺寸   420mm×250mm×340mm

儀器重量   15kg半導(dǎo)體材料研究和器件測(cè)試通常要測(cè)量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會(huì)影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓?；魻栯妷簻y(cè)量用來(lái)推導(dǎo)半導(dǎo)體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。為確定半導(dǎo)體范德堡法電阻率和霍爾電壓，進(jìn)行電氣測(cè)量時(shí)需要一個(gè)電流源和一個(gè)電壓表。為自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量，一般會(huì)使用一個(gè)可編程開(kāi)關(guān)，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側(cè)。A-SCS參數(shù)儀擁有4個(gè)源測(cè)量單元(SMUs)和4個(gè)前置放大器(用于高電阻測(cè)量)，可以自動(dòng)進(jìn)行這些測(cè)量，而不需可編程開(kāi)關(guān)。

面板介紹

1.IA、IB、IC、Io：電流輸出接線柱；

2.UA、UB、UC、Uo：電壓輸入接線柱；

3.電源開(kāi)關(guān)：儀器的電源開(kāi)關(guān)及；

4.接 地 柱：儀器**接地；

5.打 印 機(jī)：打印測(cè)試數(shù)據(jù)；

6.液 晶 屏：顯示測(cè)試數(shù)據(jù)，操作提示功能；

7.鍵    盤：『返回』對(duì)應(yīng)的返回上一層菜單功能；

『確定』對(duì)應(yīng)光標(biāo)按鈕的執(zhí)行功能；

『存儲(chǔ)』對(duì)應(yīng)測(cè)試項(xiàng)目的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；

『選擇』對(duì)應(yīng)光標(biāo)選擇菜單功能；

工作時(shí)器發(fā)射1束射向位敏傳感器，傳感器內(nèi)的PSD芯片監(jiān)測(cè)接收到的能量中心位置。定心套用來(lái)保證傳感器一直處于炮管內(nèi)孔的中心位置。當(dāng)炮管在檢測(cè)位置出現(xiàn)彎曲時(shí)，PSD芯片上的能量中心坐標(biāo)值將發(fā)生變化。位置檢測(cè)單元的電源線和數(shù)據(jù)線通過(guò)推桿中心孔與控制柜連接。結(jié)語(yǔ)直線度測(cè)量?jī)x可以適用于多種軋材的外徑尺寸的檢測(cè)，運(yùn)動(dòng)中的線棒材的外徑測(cè)量，內(nèi)徑測(cè)量等，測(cè)量方法多樣，可根據(jù)測(cè)量需求選擇合適的測(cè)量方法。

六、儀器接線

6.1將電源線把儀器與外部AC220V電源連接，將接地端子與大地連接。

6.2然后依次將接線端子的四個(gè)測(cè)試鉗（黃綠紅黑）分別接到變壓器高壓側(cè)的A、B、C、O。也可以將接線端子的四個(gè)測(cè)試鉗（黃綠紅黑）分別接到變壓器低壓側(cè)的a、b、c、o，如果只有三個(gè)套管，可以不接黑色測(cè)試鉗，但這種情況不可以選擇三相同時(shí)測(cè)量和單相電阻測(cè)量，只能選擇單線電阻測(cè)量且不用再移動(dòng)測(cè)試鉗。

6.3當(dāng)選擇單相電阻測(cè)試時(shí)必須接黑色的測(cè)試鉗，當(dāng)選擇單線電阻測(cè)試時(shí)，需注意所選的測(cè)試方式與所夾的測(cè)試鉗要一一對(duì)應(yīng)。

6.4單相變壓器使用時(shí)將接線端子黃色和黑色的測(cè)試鉗接到單相變壓器的高壓側(cè)或低壓側(cè)，選擇單相電阻測(cè)試方式測(cè)量即可。

6.5儀器配套的測(cè)試線已經(jīng)將電流、電壓線設(shè)計(jì)到同一測(cè)試鉗口上，接線簡(jiǎn)單方便MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。