HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
HN系列 沖擊電壓試驗(yàn)裝置 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 超低頻耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

可靠性是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量，我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線來(lái)表示。集成電路的失效原因大致分為三個(gè)階段：階段被稱(chēng)為早期失效期,這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中的缺陷；階段被稱(chēng)為偶然失效期,這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機(jī)的，比如溫度變化等等；階段被稱(chēng)為損耗失效期，這個(gè)階段產(chǎn)品的失效率會(huì)快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長(zhǎng)期使用所造成的老化等。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

與基于地震前兆的地震技術(shù)相比，如觀測(cè)地應(yīng)力、地磁和大地電阻率等，基于強(qiáng)震觀測(cè)的地震預(yù)警技術(shù)實(shí)際上采用的是“跑”贏地震波的方式提供預(yù)警，原理上具有更高可靠性。研究表明，3秒的預(yù)警時(shí)間可供室內(nèi)人員找到庇護(hù)、樓外人員避開(kāi)建筑，進(jìn)而減少14%以上的傷亡；秒的預(yù)警時(shí)間可供部分人員跑出樓外找到庇護(hù)，進(jìn)而減少39%以上的傷亡；秒的預(yù)警時(shí)間更可以將傷亡減少95%。電網(wǎng)是地震生命線工程重要的組成部分。現(xiàn)代生活高度電氣化，電網(wǎng)系統(tǒng)的地震損害不僅帶來(lái)嚴(yán)重經(jīng)濟(jì)損失，還將嚴(yán)重影響震區(qū)的抗震救災(zāi)和生產(chǎn)生活恢復(fù)。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例我們放到后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。