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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據(jù)相關(guān)的國際標準規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped) 的閃電突波(L.I)HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器
詳情介紹:

HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介:

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗中。

HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器電源為何需要浪涌防護電路電源模塊是系統(tǒng)與外部接觸、接口的,外部傳來的浪涌都經(jīng)過電源模塊,所以需要浪涌防護電路。由于電源模塊體積小,集成度高,內(nèi)部的控制芯片和晶體管等器件耐壓和電流都比較極限,一個浪涌電壓過來可能就使模塊損壞失效,導(dǎo)致整個系統(tǒng)的,即使沒有立馬損壞,器件受到應(yīng)力沖擊,也會影響壽命和可靠性,所以為了保證電源模塊持續(xù)可靠的應(yīng)用,一般都需要加上浪涌防護電路。電源模塊受限于體積小,很多模塊內(nèi)部不能加上防浪涌電路,所以需要在模塊的外部加上防浪涌電路。


沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped 的閃電突波L.I


回想您過去作為工程師的一年:您的角色發(fā)生了何種變化?過去五年又發(fā)生了哪些變化?隨著技術(shù)變革的步伐不斷加快,您必須調(diào)整工作的各個方面,并提率。一起拜讀下這篇來自NI產(chǎn)品營銷經(jīng)理JonahPaul的LabVIEWNXG優(yōu)勢盤點好文。在Aspencore(前稱UBM)2015年進行的一項測試測量研究中,包括半導(dǎo)體、汽車、國防和航天在內(nèi)的多個行業(yè)的工程師列出以下幾個方面為其測試開發(fā)演變過程中主要的變化:“適應(yīng)快速變化的技術(shù),為終端用戶提供測試能力和價值。HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器
HN
CJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控制方式充電時,根據(jù)設(shè)定值,自動充電并穩(wěn)定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動作控制

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控制。

觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時


LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器

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