HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
30年經(jīng)驗(yàn) 雷電沖擊電壓發(fā)生器 油浸式試驗(yàn)變壓器 匝間絕緣電阻測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

實(shí)測(cè)頻譜儀，近場(chǎng)，結(jié)合恒電磁波傳輸小室(簡(jiǎn)稱(chēng)TEM小室)能作為識(shí)別輻射干擾根源的基本工具。本次測(cè)試我們采用鼎陽(yáng)科技SSA3021X頻譜儀和選配的近場(chǎng)以及TekBox的TEM小室。我們打開(kāi)頻譜儀然后設(shè)置如下：SPAN設(shè)置為530KHz到2MHz;RBW設(shè)置為9KHz，衰減設(shè)置為0dB，顯示設(shè)置為電壓平均;打開(kāi)頻譜儀標(biāo)配的預(yù)置放大器，并選用正峰值檢波器，測(cè)試結(jié)果如下:頻譜儀基礎(chǔ)設(shè)置在以上設(shè)置參數(shù)參考的情況下，顯示平均噪聲電平(DANL)大約在-20dBμV左右，這個(gè)指標(biāo)在同級(jí)別的頻譜儀中算是非常好的。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的范圍：2.7V-3.6V；不允許超出此范圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限制？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過(guò)后端的外圍模塊后在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，電源通過(guò)了一段PCB走線(xiàn)，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限制，實(shí)際上是將原本屬于模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過(guò)測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測(cè)量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問(wèn)題，接下來(lái)，我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊后在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量，如下圖：當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)范要求的范圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的范圍內(nèi)；正如在本文開(kāi)頭描述的，在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中，已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量，而應(yīng)該是噪聲。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

為了解決這個(gè)問(wèn)題，必須制定一系列的內(nèi)部接口標(biāo)準(zhǔn)，否則行業(yè)將成為碎片化的產(chǎn)業(yè)。2003年，由ARM,Nokia,ST,TI等公司聯(lián)合成立了一個(gè)聯(lián)盟——MIPI是，目的就是是把內(nèi)部的接口如攝像頭、顯示屏接口、射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，從而減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度和增加設(shè)計(jì)靈活性。MIPI聯(lián)盟下面有不同的WorkGroup，分別定義了一系列的內(nèi)部接口標(biāo)準(zhǔn)，比如攝像頭接口CS顯示接口DS射頻接口DigR麥克風(fēng)/喇叭接口SLIMbus等。