HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應 沖擊電壓發(fā)生器 變頻諧振串聯(lián)諧振 三倍頻電源發(fā)生器產品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質沖擊擊穿、放電等試驗中。

波形累積二參數測量僅僅通過波形的直觀表現(xiàn)異常信號，需要工程師對于波形特性有一定的了解，ZDL6示波記錄儀標配55種自動測量參數，可在采集的同時，將各項指標量化，通過測量參數列表的實時統(tǒng)計顯示，迅速發(fā)現(xiàn)異常數據。并通過歷史統(tǒng)計功能，到異常信號產生瞬間。自動測量觀察異常數據歷史統(tǒng)計異常數據三GO-NOGO條件判斷通過波形累積或者參數測量，需要工程師肉眼觀察波形處理后的數據，而歷史記錄也有數量上限。

沖擊測試系統(tǒng)系應用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據相關的標準規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導致燒壞，關于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術。芯片發(fā)熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據試驗要求，調節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控制方式充電時，根據設定值，自動充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重復性和穩(wěn)定度很好。

動作控制

本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控制調節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控制調節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動接地、充電極性切換、充電次數設定等功能。

手動/自動控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

數字示波器采樣、處理數據、把數據在屏幕上顯示出來都是需要時間的。我們也可以這樣理解，示波器會眨眼睛。它們會每秒睜開眼睛多少次，來捕獲信號，其間則會閉上眼睛去處理數據，把數據顯示到屏幕上。處理數據和把數據在屏幕上顯示出來這段時間稱為死區(qū)時間。死區(qū)時間內示波器不采樣數據，是探測不到信號發(fā)生的變化的，所以實際上不是所有波形我們都能在屏幕上看到，我們看到的波形其實是被死區(qū)時間分隔成一段一段的，因此就有了波形捕獲率一說。