HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
來(lái)電咨詢(xún) 雷電沖擊發(fā)生器 干式試驗(yàn)變壓器 三倍頻電源發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

電磁流量計(jì)的大多數(shù)鑒定實(shí)驗(yàn)是在液體流過(guò)流量計(jì)和校準(zhǔn)規(guī)范設(shè)備或參比流量計(jì)的情況下進(jìn)行的。應(yīng)留意保證實(shí)驗(yàn)管道中液體均勻安穩(wěn)活動(dòng)，不受因?yàn)閿_動(dòng)導(dǎo)致的部分速度急劇動(dòng)搖的影響。關(guān)于工業(yè)進(jìn)程活動(dòng)條件下所特有的雷諾數(shù)范闈內(nèi)，這種擾動(dòng)經(jīng)常出現(xiàn)。有以下幾種電磁流量計(jì)性能鑒定辦法：1.有必要保持鑒定集體與制作廠(chǎng)之間密切的聯(lián)絡(luò)。在決議實(shí)驗(yàn)程序時(shí)應(yīng)留意制作廠(chǎng)對(duì)外表的技能說(shuō)明，并尋求制作對(duì)實(shí)驗(yàn)程序和實(shí)驗(yàn)成果提出定見(jiàn)。參比流量計(jì)或校準(zhǔn)規(guī)范設(shè)備應(yīng)有適宜的規(guī)模，能包含被試流量計(jì)的流量規(guī)模。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

不確定性是始終存在的，對(duì)誤差來(lái)源的評(píng)估可以幫助確定測(cè)量的不確定度。除上述外，還有一些相關(guān)術(shù)語(yǔ)在依據(jù)美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（NIST）或其它標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的說(shuō)明文件來(lái)描繪性能時(shí)會(huì)有用?？擅枋鲂允潜ＷC所有的測(cè)量器件有一個(gè)共同的基準(zhǔn)所必須的。所謂“規(guī)范”是指保證性能由校準(zhǔn)溯源到NIST的測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生?！暗湫汀蓖馕吨阅苁菧y(cè)試，但不包括測(cè)量不確定因素?！跋笳餍浴钡谋憩F(xiàn)通常是補(bǔ)充信息，不是在每個(gè)儀器上的普遍測(cè)量。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

而如果C的容值越小，對(duì)電路的影響也就越小。但限于目前的測(cè)試系統(tǒng)，C3和串聯(lián)后的電容值是幾個(gè)pF的級(jí)別，而C1通常是20~30pF，所以?xún)x器對(duì)負(fù)載電容量的影響在10%以上，終會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生幾個(gè)ppm（單位，百萬(wàn)分之一）的頻率偏差，通常電路設(shè)計(jì)對(duì)晶體頻偏的要30ppm左右，所以這個(gè)影響還是不能忽視的。但如果使用頻譜儀，配合近場(chǎng)測(cè)試，因?yàn)閮H在空間上有電磁場(chǎng)的耦合，所以?xún)x器的影響可以忽略。