HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
廠(chǎng)家供應(yīng) 雷電沖擊發(fā)生器 智能型直流高壓發(fā)生器 匝間沖擊耐壓試驗(yàn)儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

你知道現(xiàn)在的處理器已經(jīng)發(fā)展為8核和10核處理器了嗎?這些處理器需要多個(gè)內(nèi)核來(lái)同時(shí)運(yùn)行很多應(yīng)用程序，操作游戲和高質(zhì)量流的圖形處理器。這些全新的處理器需要很高的電流(有時(shí)超過(guò)10A)，并且需要以盡可能快的速度傳送這個(gè)電流。由于不斷增長(zhǎng)的內(nèi)核數(shù)量，為這些處理器供電的器件的屬性也在發(fā)生著變化。在滿(mǎn)足小外形尺寸需要的同時(shí)，需要真正的業(yè)內(nèi)進(jìn)的電源技術(shù)。TI有幾款為處理器供電的降壓轉(zhuǎn)換器，諸如TPS62180、LP8758和TPS62184。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

放置于室外的傳感器端子箱有可能受到雷電接觸放電；位于機(jī)房?jī)?nèi)的DCS機(jī)柜有可能受到大樓立柱泄流時(shí)的空氣放電。信號(hào)線(xiàn)端口（含天饋線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)、控制線(xiàn)等）在控制系統(tǒng)中,為了實(shí)現(xiàn)信號(hào)或信息的傳遞總要有與外界連接的部位,如過(guò)程控制系統(tǒng)的信號(hào)交接端的總配線(xiàn)架、數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)的終端、微波設(shè)備到天線(xiàn)的饋線(xiàn)口等等，那么這些從外界接收信號(hào)或發(fā)射信號(hào)出去的接口都有可能受到雷電浪涌沖擊。因?yàn)閺臉峭庑盘?hào)端口進(jìn)來(lái)的浪涌往往通過(guò)長(zhǎng)電纜，所以采用10/700μs波形，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定線(xiàn)到線(xiàn)間浪涌電壓為0.5kV，線(xiàn)到地間浪涌電壓為1kV。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

然后再使用另一條1m電纜從配線(xiàn)架連接到，所以從一個(gè)SMU到DUT的三芯同軸電纜的總長(zhǎng)度是：(2x2m)+(2x5m)+(1m)=15m。除了三芯同軸電纜外，開(kāi)關(guān)矩陣本身也增加了電容，在計(jì)算測(cè)試系統(tǒng)總電容時(shí)可能需要包括進(jìn)去。在測(cè)量通過(guò)開(kāi)關(guān)矩陣連接的FET器件的輸出特點(diǎn)時(shí)，使用兩個(gè)4211-SMU較使用兩個(gè)傳統(tǒng)SMU的結(jié)果明顯改善。在這項(xiàng)測(cè)試中，其中一個(gè)SMU被偏置恒定柵極電壓，另一個(gè)SMU掃描漏極電壓，測(cè)量得到的漏極電流。