HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
生產(chǎn)廠家 沖擊電壓發(fā)生裝置 干式試驗(yàn)變壓器 三倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

摩爾定律美國人高登摩爾提出摩爾定律，即微處理器的速度每18個(gè)月翻一翻。這意味著同等價(jià)位的微處理器速度會(huì)變得越來越快，同等速度的微處理器會(huì)變得越來越便宜。作為迄今為止半導(dǎo)體發(fā)展意義深遠(yuǎn)的摩爾定律，集成電路數(shù)十年的發(fā)展歷程，令人信服地證實(shí)了它的正確性。它并不是嚴(yán)格的物理定律，而是基于一種幾乎不可思議的技術(shù)進(jìn)步現(xiàn)象所做出的總結(jié)。在過去10年中，摩爾定律所描述的技術(shù)進(jìn)步不斷沖擊著計(jì)算機(jī)工業(yè)：晶體管越做越小，芯片性能越來越高，計(jì)算能力呈指數(shù)增長，生產(chǎn)成本和使用費(fèi)用不斷降低。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

開關(guān)電源的壽命很大程度受到電解電容的制約，而電解電容的壽命取決于其內(nèi)核溫升。本文從紋波電流計(jì)算、紋波電流實(shí)測、電解電容選型、溫度測試方法、壽命估算等方面，對(duì)電解電容作了的。紋波電生的熱量引起電容的內(nèi)部溫升，加速電解液的蒸發(fā)，當(dāng)容值下降2%或損耗角增大為初始值的2~3倍時(shí)，預(yù)示著電解電容壽命的終結(jié)。通過檢查電容器上的紋波電流，可電容器的壽命。本文以連續(xù)工作模式的反激變換器輸出電容為例，重點(diǎn)從紋波電流角度電解電容的選型與壽命。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

手持式光譜儀是什么呢？手持式光譜儀是一種基于XRF光譜技術(shù)的光譜儀器，產(chǎn)品具有性能穩(wěn)定、使用靈活、可靠性高、維護(hù)簡便等優(yōu)點(diǎn)。今天我們就來具體介紹一下手持式光譜儀產(chǎn)品，希望可以幫助用戶更好的應(yīng)用產(chǎn)品。手持式光譜儀的應(yīng)用手持式光譜儀當(dāng)能量高于原子內(nèi)層電子結(jié)合能的高能X射線與原子發(fā)生碰撞時(shí),驅(qū)逐一個(gè)內(nèi)層電子從而出現(xiàn)一個(gè)空穴，使整個(gè)原子體系處于不穩(wěn)定的狀態(tài)，當(dāng)較外層的電子躍遷到空穴時(shí),產(chǎn)生一次光電子，擊出的光子可能再次被吸收而逐出較外層的另一個(gè)次級(jí)光電子，發(fā)生俄歇效應(yīng)，亦稱次級(jí)光電效應(yīng)或無輻射效應(yīng)。