HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
定制定做 沖擊電壓試驗(yàn)裝置 智能型試驗(yàn)變壓器 匝間沖擊耐壓試驗(yàn)儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

誤差是測(cè)量值與標(biāo)準(zhǔn)值(真實(shí)值)之差;相對(duì)誤差是誤差與標(biāo)準(zhǔn)值(真實(shí)值)的比值。前面所說(shuō)的讀數(shù)精度就是用相對(duì)誤差來(lái)表示，而滿量程精度就是用誤差來(lái)表示的。相對(duì)誤差能直觀地表示測(cè)量的質(zhì)量，而誤差則不如相對(duì)誤差來(lái)的直觀。電測(cè)量?jī)x器儀表精度指標(biāo)的另外一種表達(dá)方式就是準(zhǔn)確度等級(jí)。電測(cè)量?jī)x器儀表在規(guī)定條件下工作時(shí)，誤差的值與儀表量程的比值就叫做儀表的準(zhǔn)確度等級(jí)，比如某電流互感器的準(zhǔn)確度等級(jí)如所示。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

他通過(guò)FLIRONEPro，成功解決過(guò)多個(gè)小區(qū)地暖管道泄漏的問(wèn)題，下面是他總結(jié)的檢測(cè)地暖管道泄漏的一般步驟：1.關(guān)閉水路主閥門，之后分別對(duì)每個(gè)地暖環(huán)路依次進(jìn)行打壓試驗(yàn)，找出泄漏點(diǎn)所在的環(huán)路。加熱經(jīng)過(guò)打壓試驗(yàn)初步判斷存在漏點(diǎn)的一路盤管。盡量提高熱源溫度，以保證盤管迅速升溫。加熱的1-2分鐘后，使用FLIRONEPro紅外熱像儀觀察紅外視角下整個(gè)盤管的走向，尋找異常發(fā)熱點(diǎn)。地暖漏水常存在兩個(gè)現(xiàn)象：漏水部位管道模糊擴(kuò)散，存非線狀，在紅外圖片中呈現(xiàn)一團(tuán)熱量；漏水位置溫度較高，在紅外圖片中呈現(xiàn)白亮色。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

而如果C的容值越小，對(duì)電路的影響也就越小。但限于目前的測(cè)試系統(tǒng)，C3和串聯(lián)后的電容值是幾個(gè)pF的級(jí)別，而C1通常是20~30pF，所以儀器對(duì)負(fù)載電容量的影響在10%以上，終會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生幾個(gè)ppm（單位，百萬(wàn)分之一）的頻率偏差，通常電路設(shè)計(jì)對(duì)晶體頻偏的要30ppm左右，所以這個(gè)影響還是不能忽視的。但如果使用頻譜儀，配合近場(chǎng)測(cè)試，因?yàn)閮H在空間上有電磁場(chǎng)的耦合，所以儀器的影響可以忽略。