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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)
詳情介紹:

HNZDL系列可編程直流穩(wěn)壓電源 高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)

高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059
直流輸出
電壓:0- 6000V連續(xù)可調(diào)  

電流:0- 100000A連續(xù)可調(diào)   

源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值

負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)

恒流精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)復(fù)雜系統(tǒng)的調(diào)試和驗(yàn)證面臨許多測(cè)試技術(shù)挑戰(zhàn),包括捕獲和可視化多個(gè)不頻繁或間斷出現(xiàn)的事件,如串行數(shù)據(jù)包、激光脈沖和故障信號(hào)。為了準(zhǔn)確測(cè)量和表征這些信號(hào),必須在長時(shí)間內(nèi)高采樣率捕獲它們。示波器的默認(rèn)采集模式因?yàn)槠溆邢薜挠涗涢L度會(huì)強(qiáng)制在采樣率和捕獲時(shí)間進(jìn)行妥協(xié)。使用更高的采樣率可以更快地填充儀器的內(nèi)存,減少數(shù)據(jù)采集的時(shí)間窗口。相反,捕獲長時(shí)間的數(shù)據(jù)通常是以犧牲水平時(shí)間分辨率(采樣率)為代價(jià)的。分段存儲(chǔ)架構(gòu)FastFrameTM分段存儲(chǔ)允許將內(nèi)存分割成多幀。高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)

電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏(可選)

過壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù),保護(hù)值為額定值+5%,保護(hù)后關(guān)閉輸出,重新開機(jī)解鎖

過流保護(hù) 過載、短路、定電流輸出E65的頻率帶寬為42.5-69Hz,覆蓋了5Hz和6Hz的工頻電網(wǎng)。不同對(duì)ABCN相序的顏色定義也不一樣。E65支持各相序自定義顏色,滿足的需求。同時(shí)不同和地區(qū),對(duì)與電能質(zhì)量的算法不完全一致,不同用戶針對(duì)選用的計(jì)算方法也不一致,但是E65電能質(zhì)量?jī)x支持諧波含有率計(jì)算方法(BFunRMS)、THD計(jì)算、功率計(jì)算方法(Classical、IEEDIN411)、PF計(jì)算方法(IEIEEE)、KF標(biāo)準(zhǔn)(US、EU)。

功率直流電源主要由整流濾波電路,全橋變換電路,PWM控制電路,穩(wěn)壓、限壓電路,穩(wěn)流、限流保護(hù)電路,以及輔助電源電路等優(yōu)化組合而成。

三相電網(wǎng)(或單相)電壓經(jīng)電源開關(guān)進(jìn)入大功率直流電源后,進(jìn)行整流濾波,得到的520VDC(單相為300VDC)的平滑直流電壓供給逆變電路。機(jī)內(nèi)控制電源自三相輸入電壓取一路380CAC(或單相220VAC)經(jīng)變壓器降壓穩(wěn)流后,再通過三端穩(wěn)壓器得到DC±12V電壓供給各部分控制電路使用。

逆變電路主要由大功率IG模塊(或場(chǎng)效應(yīng)MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當(dāng)PWM輸出控制信號(hào)通過隔離驅(qū)動(dòng)器分別驅(qū)動(dòng)功率模塊,兩組對(duì)角管分別交替導(dǎo)通,在高頻變壓器初級(jí)產(chǎn)生高頻脈沖電壓,次級(jí)電壓由高頻變壓器變壓后整流向負(fù)載提供能量。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測(cè)試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對(duì)Wafer劃片槽(ScribeLine)測(cè)試鍵(TestKey)的測(cè)試,通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù),測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上,由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容,測(cè)完某條TestKey后,ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey,直到整片Wafer測(cè)試完成。高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)

停機(jī)時(shí)把調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)至較小位置并切斷電源開關(guān),把啟動(dòng)、停止開關(guān)撥至停止位置。

10.8、自動(dòng)計(jì)時(shí)功能(500A以下自動(dòng)機(jī)型才有):自動(dòng)計(jì)時(shí)功能是檢測(cè)輸入電流是否大于5A,大于5A則開始記時(shí),時(shí)控開關(guān)‘時(shí)控關(guān)’,到預(yù)置時(shí)間報(bào)警,并把電流降到10%額定電流以內(nèi),工件拿出后,時(shí)控不工作,待下一工件放下開始自動(dòng)工作。當(dāng)使用電流小于5A時(shí)

高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)高頻加熱脈沖電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 電器老化電源 30年經(jīng)驗(yàn)


 

 

 

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