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HNZDL系列可編程直流穩(wěn)壓電源 脈沖加熱電源 直流脈沖開關(guān)穩(wěn)壓電源 測試?yán)匣娫?5年保修
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直流輸出 電壓:0- 6000V連續(xù)可調(diào)
電流:0- 100000A連續(xù)可調(diào)
源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值
負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)
恒流精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測試,芯片封裝和封裝后測試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對Wafer劃片槽(ScribeLine)測試鍵(TestKey)的測試,通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù),測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺上,由WATRecipe自動控制測試位置和內(nèi)容,測完某條TestKey后,ProbeCard會自動移到下一條TestKey,直到整片Wafer測試完成。
電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏(可選)
過壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù),保護(hù)值為額定值+5%,保護(hù)后關(guān)閉輸出,重新開機(jī)解鎖
過流保護(hù) 過載、短路、定電流輸出在測試環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜的今天,很多因素都會對測量結(jié)果產(chǎn)生比較大的影響,如何將測試中的干擾降到也是各測試工程師的難題。本文將簡單的介紹一些功率儀測試時常見的干擾現(xiàn)象及處理方式。對于現(xiàn)階段的測試系統(tǒng)來說,除待測信號以外,理論上還會有很多種信號出現(xiàn)在測試系統(tǒng)中。這些信號都會對測量結(jié)果產(chǎn)生影響。往往這些信號都屬于外界干擾,機(jī)械干擾信號、熱干擾信號、光干擾信號、化學(xué)干擾信號、電磁干擾信號等。在實驗室測試時,測試環(huán)境比較優(yōu)異,機(jī)械干擾、熱干擾、光干擾都會比較小,但是鑒于實驗室的設(shè)備,電場、電磁都會比較多,電磁干擾還是很有可能發(fā)生的。
功率直流電源主要由整流濾波電路,全橋變換電路,PWM控制電路,穩(wěn)壓、限壓電路,穩(wěn)流、限流保護(hù)電路,以及輔助電源電路等優(yōu)化組合而成。
三相電網(wǎng)(或單相)電壓經(jīng)電源開關(guān)進(jìn)入大功率直流電源后,進(jìn)行整流濾波,得到的520VDC(單相為300VDC)的平滑直流電壓供給逆變電路。機(jī)內(nèi)控制電源自三相輸入電壓取一路380CAC(或單相220VAC)經(jīng)變壓器降壓穩(wěn)流后,再通過三端穩(wěn)壓器得到DC±12V電壓供給各部分控制電路使用。
逆變電路主要由大功率IG模塊(或場效應(yīng)MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當(dāng)PWM輸出控制信號通過隔離驅(qū)動器分別驅(qū)動功率模塊,兩組對角管分別交替導(dǎo)通,在高頻變壓器初級產(chǎn)生高頻脈沖電壓,次級電壓由高頻變壓器變壓后整流向負(fù)載提供能量。
停機(jī)時把調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)至較小位置并切斷電源開關(guān),把啟動、停止開關(guān)撥至停止位置。
10.8、自動計時功能(500A以下自動機(jī)型才有):自動計時功能是檢測輸入電流是否大于5A,大于5A則開始記時,時控開關(guān)‘時控關(guān)’,到預(yù)置時間報警,并把電流降到10%額定電流以內(nèi),工件拿出后,時控不工作,待下一工件放下開始自動工作。當(dāng)使用電流小于5A時