HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡式露點儀 氣體抽真空充放裝置 sf6冷鏡法露點儀 5年保修

露點	測量范圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

給各分管路打壓，檢測哪一路地暖盤管可能漏水自從FLIRONRPRO紅外熱像儀應運而生，一切都迎刃而解。整個檢測過程和要點主要概括為下面幾步：步，通過對地暖各分路進行打壓，判斷存在漏水的管道。在現(xiàn)場我們發(fā)現(xiàn)，路管道施加5公斤壓力后，在3分鐘內(nèi)只剩下1公斤壓力，屬于明顯的漏水可疑對象，而其他二路并無失壓情況。據(jù)此，我們初步判斷路地暖盤管存在漏水情況。得出結(jié)果后，接下來就需要使用FLIRONEPRO紅外熱像儀查找具體漏水點。1、連接SF₆設(shè)備

將測量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手擰緊，關(guān)閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

后將開關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測量接口連接好，用扳手擰緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低于約20％，請關(guān)機充電后繼續(xù)使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然后用面板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點。

設(shè)備測量時間需要5～10分鐘，其后每臺設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲數(shù)據(jù)

設(shè)備測量完成后，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。傳感器對某一物理量的準確程度取決于傳感器的性能指標。為了確定傳感器的測量范圍、準確性，必須對傳感器的性能指標進行測試。對新研制的傳感器，必須進行的技術(shù)性能的測試和校準，用測試和校準的數(shù)據(jù)確定其測試范圍、準確程度。對于標準型的傳感器，用校準數(shù)據(jù)進行量值傳遞。這些測試數(shù)據(jù)，既是衡量傳感器好壞的依據(jù)，也是改進傳感器設(shè)計和工藝的依據(jù)。傳感器經(jīng)過一段時間儲存或使用后，性能指標是會發(fā)生變化的，因此對傳感器的性能指標要定期進行復測。

5、測量其他設(shè)備

一臺設(shè)備測量后，關(guān)閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設(shè)備，按照上面步驟繼續(xù)測量下一臺設(shè)備。

6、測量結(jié)束

所有設(shè)備測量結(jié)束后，關(guān)閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測量狀態(tài)，通過確定鍵可以進入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進入保存數(shù)據(jù)頁面，保存數(shù)據(jù)時，可以根據(jù)設(shè)備進行編號。

設(shè)備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號后，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進入查看記錄頁面。

顯示時從后一個被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。有必要采用一些其他方法來提高傳導EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來濾除噪聲，或增加罩來鎖住噪聲。EMI濾波器示意簡圖是一個簡化的EMI濾波器，包括共模（CM）濾波器和差模（DM）濾波器。通常，DM濾波器主要用于濾除小于30MHz的噪聲（DM噪聲），CM濾波器主要用于濾除30MHz至100MHz的噪聲（CM噪聲）。但其實這兩個濾波器對于整個頻段的EMI噪聲都有一定的作用。顯示了一個不帶濾波器的輸入引線噪聲，包括正向噪聲和負向噪聲，并標注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。

3、刪除記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時間

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時間，按“確定”鍵，進入修改時間頁面。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時間數(shù)值。

輸入小時、分鐘、秒后，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個修改域內(nèi)。

 半導體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。