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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修 

配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。以鋁板中Lamb波的傳播為例,其頻散曲線可采用半解析有限元法求得,只需要在波導(dǎo)介質(zhì)的截面上作有限元離散,而沿波導(dǎo)介質(zhì)傳播方向的位移則以簡諧波的振動(dòng)方式表示,在對(duì)介質(zhì)截面進(jìn)行有限元離散后,根據(jù)哈密頓原理可以推導(dǎo)出導(dǎo)波在介質(zhì)中的波動(dòng)方程,求解特征值可以得到波數(shù)和頻率的關(guān)系,進(jìn)而繪制出頻散曲線。通過半解析有限元法,以鋁板厚度d=0.8mm繪制鋁板中導(dǎo)波的相速度和群速度頻散曲線,得到的模態(tài)分布分別如圖2,3所示。

配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

地線也是有阻抗的,電流流過地線時(shí),會(huì)產(chǎn)生電壓,此為噪聲電壓,而噪聲電壓則是影響系統(tǒng)穩(wěn)定的干擾源之一,不可取。所以,要降低地線噪聲的前提是降低地線的阻抗。,地線是電流返回源的通路。隨著大規(guī)模集成電路和高頻電路的廣泛應(yīng)用,低阻抗的地線設(shè)計(jì)在電路中顯得尤為重要。這里就簡單列舉幾種常用的接地方法。單點(diǎn)接地單點(diǎn)接地,顧名思義,就是把電路中所有回路都接到一個(gè)單一的、相同的參考電位點(diǎn)上。如下圖所示。單點(diǎn)接地可以分為“串聯(lián)接地”和“并聯(lián)接地”兩種方式。配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修而對(duì)于支撐端到端傳輸?shù)幕A(chǔ)網(wǎng)絡(luò)而言,低延時(shí)(微秒級(jí))、無損(lossless)則是重要的指標(biāo)。低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)主要產(chǎn)生在設(shè)備節(jié)點(diǎn)(這里忽略了光電傳輸延時(shí)和數(shù)據(jù)串行延時(shí)),設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)包括以下三部分:存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí):芯片轉(zhuǎn)發(fā)線處理延遲,每個(gè)hop會(huì)產(chǎn)生1微秒左右的芯片處理延時(shí)(業(yè)界也有嘗試使用cut-through模式,單跳延遲可以降低到0.3微秒左右);Buffer緩存延時(shí):當(dāng)網(wǎng)絡(luò)擁塞時(shí),報(bào)文會(huì)被緩存起來等待轉(zhuǎn)發(fā)。配電箱多回路溫升測試儀HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修


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