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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修 

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。EMC設(shè)計(jì)系統(tǒng)主站和從站電路板的設(shè)計(jì)對系統(tǒng)的EMC至關(guān)重要,而一個(gè)電路板的電磁輻射能力和接收能力往往是一致的。在提高電路板抗干擾能力的同時(shí),也了電路板的電磁輻射。PCB板的EMC設(shè)計(jì)主要因素有以下幾點(diǎn):元器件選擇和布局選擇EMC性能好的元器件,并盡量選擇表面貼裝的封裝形式。器件合理布局,把相互有關(guān)的器件盡量放得靠近些,使各部件之間的引線盡量短。特別是微控制器和CAN控制器的時(shí)鐘源晶體一定按規(guī)定放置,否則會(huì)不起振。

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

另外一種常見于ARM芯片,我們知道ARM芯片采用統(tǒng)一的編程接口SWD接口,某些ARM芯片會(huì)提供兩個(gè)AP(AccessPort),通過關(guān)閉訪問內(nèi)部空間的AP可以達(dá)到加密的目的。而如果想解鎖,就要訪問另一條AP,這條AP只可以訪問一個(gè)寄存器,通過寫入該寄存器特定的數(shù)據(jù)就可以將芯片重置為默認(rèn)狀態(tài)。還有一種加密方式和上面類似,只不過采用了兩個(gè)編程接口,而不是同一編程接口的兩條AP??傊用芫褪亲屇銦o法讀取芯片數(shù)據(jù),而又可以通過擦除再次升級固件。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修一直以來,設(shè)計(jì)中的電磁干擾(EMI)問題十分令人頭疼,尤其是在汽車領(lǐng)域。為了盡可能的減小電磁干擾,設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在設(shè)計(jì)原理圖和繪制布局時(shí),通過降低高di/dt的環(huán)路面積以及開關(guān)轉(zhuǎn)換速率來減小噪聲源。有時(shí)無論布局和原理圖的設(shè)計(jì)多么謹(jǐn)慎,仍然無法將傳導(dǎo)EMI降低到所需的水平。這是因?yàn)樵肼暡粌H取決于電路寄生參數(shù),還與電流強(qiáng)度有關(guān)。另外,開關(guān)打開和關(guān)閉的動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生不連續(xù)的電流,這些不連續(xù)電流會(huì)在輸入電容上產(chǎn)生電壓紋波,從而增加EMI。配電箱多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修


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