HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設備 容量大 定制定做 

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術性能需滿足根據GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標準對開關柜進行試驗的要求。網絡覆蓋質量嚴重影響功耗當覆蓋較差時，通過多次重發(fā)提高通信成功率，但會延長發(fā)送時間，從而引起功耗增加，盡量避免長期在覆蓋等級2狀態(tài)下時工作。根據PSM特性優(yōu)化網絡通信協(xié)議當覆蓋較差時會出現(xiàn)多次重發(fā)，如果一直保持連接狀態(tài)，如果有多組上下行交互數(shù)據，則相當一部分功耗浪費在等待，此時可以進入Idle狀態(tài)等待，以降低功耗。遠程閥控PSMeDRX由于不能實現(xiàn)網絡喚醒，暫時不能實現(xiàn)實時下行，eDRX的靜態(tài)功耗較高，PSM頻繁重連耗電也較高；必須由終端觸發(fā)上行后才能間接實現(xiàn)下行，充值時要求用戶按下按鍵。

1.2 技術參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調， 且該輸出電流為真有效值（指負載被試開關柜及相關標準規(guī)定的試驗附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時間應滿足工作時間要求）

輸出波形：標準正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調

工作時間：大電流輸出不少于24小時

輸出相數(shù)：三相  多路

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導致燒壞，關于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術。芯片發(fā)熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）