HN300電纜故障測(cè)試儀 電纜故障測(cè)試儀 HN300系列 電力電纜故障測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)

 用于35kV及以下不同等級(jí)、不同截面、不同介質(zhì)及材質(zhì)的電力電纜的各類故障，包括：開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡(luò)性故障。可配合高壓設(shè)備實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電纜故障測(cè)試的低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法。 全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示，全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的大功率半導(dǎo)體器件，主要并廣泛應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面，對(duì)可控硅性能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于電控系統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成，即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極。

技術(shù)參數(shù)

1. 采樣方法：低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法

2. 采樣速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脈沖寬度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速設(shè)置：交聯(lián)、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設(shè)定

5. 沖擊高壓：35kV及以下

6. 測(cè)試距離：＜60km，盲區(qū)≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 測(cè)試精度：1m

9. 顯示方式：工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏

比如常見的PCIE，其單端阻抗就是要50Ω。這就是這個(gè)50Ω的由來(lái)，也是因?yàn)槿绱?，示波器上才?huì)有個(gè)50Ω阻抗檔位。其作用就是用來(lái)匹配50Ω系統(tǒng)中的傳輸線。示波器的負(fù)載效應(yīng)有朋友可能會(huì)有疑惑，按上面的論述，豈不是50Ω的匹配比1MΩ的匹配要好，那還要1MΩ阻抗干什么呢？這就涉及到了示波器的負(fù)載效應(yīng)問題了。相信大家都有這種經(jīng)歷，調(diào)試一個(gè)有問題的電路，想看看波形，結(jié)果接上電路就正常了，拿開電路就又出問題。

 四、工作原理

       本產(chǎn)品采用的是時(shí)域反射（TDR）原理，即對(duì)電纜發(fā)射一電脈沖，電脈沖將在電纜中勻速傳輸，當(dāng)遇到電纜阻抗發(fā)生變化的地方（故障點(diǎn)），電脈沖將產(chǎn)生反射。測(cè)距主機(jī)將電脈沖的發(fā)射和反射的變化以時(shí)域形式通過液晶屏顯示出來(lái)，通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。

① 開關(guān)按鍵：按下自鎖接通電源，再按解鎖斷開電源。開機(jī)2分鐘無(wú)任何操作時(shí)，屏幕將變暗進(jìn)入屏保節(jié)能狀態(tài)。所述存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償余數(shù)具體包括：用第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償余數(shù)覆蓋第n-1個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償余數(shù)。一種應(yīng)用在電能表中RTC模塊的補(bǔ)償校準(zhǔn)裝置，包括：溫度測(cè)量模塊，用于根據(jù)測(cè)量的RTC模塊的晶體溫度獲取時(shí)鐘校準(zhǔn)所需的補(bǔ)償參數(shù)；控制模塊，用于根據(jù)所述補(bǔ)償參數(shù)和RTC模塊的補(bǔ)償單位計(jì)算補(bǔ)償校準(zhǔn)值和補(bǔ)償余數(shù)，并根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償余數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)。所述控制模塊，具體用于在個(gè)補(bǔ)償周期中，按照所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，并將所述補(bǔ)償余數(shù)存入存儲(chǔ)模塊；所述存儲(chǔ)模塊，用于存儲(chǔ)所述補(bǔ)償余數(shù)。

② 充電端口：用于連接充電器，給電池充電。

③ 中值旋鈕：順時(shí)針旋動(dòng)中值向上走動(dòng)；逆時(shí)針旋動(dòng)中值向下走動(dòng)。（需采樣刷新才有變化）大；逆時(shí)針旋動(dòng)幅度減小。（需采樣刷新才有變化）

⑤ 采樣端口：四芯座，用于連接采樣線。代數(shù)字存儲(chǔ)示波器（DSO，DigitalStorgeOscilloscope，如b）主要通過高速的ADC將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，然后存儲(chǔ)于內(nèi)存中，再由CPU運(yùn)算與繪制波形。采用這種結(jié)構(gòu)所設(shè)計(jì)的數(shù)字存儲(chǔ)示波器，其功能比模擬示波器有了很大的提升，波形存儲(chǔ)、波形運(yùn)算、自動(dòng)測(cè)量等等。模擬示波器的優(yōu)勢(shì)在于他的即時(shí)、快速和豐富表現(xiàn)信號(hào)的能力，這也是數(shù)字示波器的缺點(diǎn)，原因在于CPU的運(yùn)算能力遠(yuǎn)不及信號(hào)的變化速度。

⑥ 觸摸式彩色液晶屏：詳見“工作界面介紹”。

按“       ”鍵，彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括：“低壓脈沖”、“閃絡(luò)方法”和“速度測(cè)量”。儀器開機(jī)默認(rèn)“低壓脈沖”，根據(jù)測(cè)試需要，可選擇相應(yīng)的采樣方式，再按“采樣方式”鍵退出。

按“       ”鍵，彈出脈沖寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個(gè)選項(xiàng)，分別為：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據(jù)測(cè)試距離選擇合適的脈寬，按對(duì)應(yīng)的子菜單鍵可以對(duì)脈沖寬度進(jìn)行選擇，儀器開機(jī)默認(rèn)0.2μs，再按“脈寬”鍵退出此項(xiàng)功能。注意：在高壓閃絡(luò)法測(cè)試中此項(xiàng)不做選擇。

目前市場(chǎng)上電機(jī)測(cè)試系統(tǒng)的電機(jī)負(fù)載種類繁多，電渦流制動(dòng)器負(fù)載、磁粉制動(dòng)器負(fù)載、磁滯制動(dòng)器負(fù)載、伺服電機(jī)負(fù)載等?？紤]到被測(cè)電機(jī)的特性及成本，選擇一款合適的負(fù)載至關(guān)重要，那么如何才能選擇一款合適的電測(cè)試平臺(tái)的負(fù)載呢？我們來(lái)了解各類型的負(fù)載制動(dòng)器的特性及工作原理：電渦流制動(dòng)器電渦流制動(dòng)器是目前國(guó)內(nèi)先進(jìn)的模擬加載設(shè)備，主要用來(lái)模擬動(dòng)力裝置的輸出性能，由感應(yīng)盤、電樞和勵(lì)磁部分等組成。當(dāng)與轉(zhuǎn)子同軸裝配的勵(lì)磁線圈通直流電時(shí)，其產(chǎn)生的磁通經(jīng)電樞體、渦流環(huán)、氣隙和轉(zhuǎn)子形成閉合回路。