HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
沖擊耐壓試驗裝置 HNCJ系列 感應(yīng)耐壓測試儀原理用途產(chǎn)品簡介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊，雷電截斷波，操作沖擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu)，電力設(shè)備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗?；ǒB加5次和7次諧波示意圖電網(wǎng)諧波產(chǎn)生的原因高次諧波產(chǎn)生的根本原因是由于電力系統(tǒng)中某些設(shè)備和負(fù)荷的非線性特性，即所加的電壓與產(chǎn)生的電流不成線性（正比）關(guān)系而造成的波形畸變。電網(wǎng)諧波來自于三個方面：發(fā)電源質(zhì)量不高產(chǎn)生諧波；由于發(fā)電機制造工藝的問題，致使電樞表面的磁感應(yīng)強度分布稍稍偏離正弦波，產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢也會稍稍偏離正弦電動勢，即所產(chǎn)生的電流稍偏離正弦電流。當(dāng)然，幾個這樣的電源并網(wǎng)時，總電源的電流也將偏離正弦波。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

終端電阻的作用對于RS-485總線，終端電阻主要是為了匹配通信線的特性阻抗，防止信號反射，提高信號質(zhì)量。在組建RS-485總線網(wǎng)絡(luò)時，通常使用特性阻抗為120Ω的雙絞線，由于RS-485輸入阻抗一般較高（RSM485ECHT輸入阻抗為96kΩ，多可連接256個節(jié)點），在信號傳輸?shù)娇偩€末端時會由于受到的瞬時阻抗發(fā)生突變（以RSM485ECHT為例，阻抗由120Ω變?yōu)?6kΩ），導(dǎo)致信號發(fā)生反射，影響信號的質(zhì)量。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。CSP(ChipScalePACkage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。沖擊耐壓試驗裝置 HNCJ系列 感應(yīng)耐壓測試儀原理用途

4、采用恒流充電自動控制技術(shù)，自動化程度高，抗干擾能力強。