HN1015A蓄電池充放電，活化測試儀 蓄電池充電放電測試儀 HN1016B 直流接地故障檢測儀試驗方法

本儀器是針對整組蓄電池系列測試，不同規(guī)格型號對整組要求不同，具體根據(jù)儀表為準。單體電池電壓為2V\12V（根據(jù)具體指標定）的鉛酸蓄電池組進行測試的儀器。

測試步驟介紹具有省電、性能穩(wěn)定、體積小、承載能力大，比一般電磁繼電器性能優(yōu)越的特點。根據(jù)繼電器的型號不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。下面我們主要介紹一款需要直流電壓供電的磁保持繼電器的測試方法。磁保持繼電器內(nèi)部圖1.IT64系列LIST功能IT64系列是四象限電源，具有l(wèi)ist功能，可按照程序所編的電壓電流值輸出。單通道輸出功率15W，電壓可達±6V，電流±1A，雙極性雙范圍輸出。LIST功能實測案例以下是測試要求：磁保持繼電器的老化測試，就是重復讓產(chǎn)品斷開和閉合，進行老化測試。脈沖波形：+4.5V,5msV,5ms-4.5V,5msV,5ms測試磁保持繼電器的吸合電壓和釋放電壓。一般采用步進增大或者減小電壓值的方法去測試。電壓上升階梯波形：1V為初始值，.1V,1ms進行升壓，直至產(chǎn)品動作;再以-1V為初始值，-.1V,1ms進行升壓，直至產(chǎn)品動作。

1.4.1在線監(jiān)測測試：

步：連接單體電壓采集器。（詳見章節(jié)2.4）

步：把整組電壓測試線連接到電池組兩端。（詳見章節(jié)2.5）

步：插入電源，主機開機。

第四步：進入在線監(jiān)測參數(shù)設置。(詳見章節(jié)3.1）

第五步：“確定”開始測試。

1.4.2 放電測試：每年都有新發(fā)布，大家都在追逐更高的性能，除了主CPU頻率高以外，還需要關注GPU，同時RAM也要越大越好，存儲芯片對速度的影響，大家又知道多少呢？普及，諾基亞無可替代20世紀90年代，風靡世界是諾基亞，他推出的1100,1110，3210等型號，占領了當時80%市場。諾基亞里面集成了Intel的NorFlash芯片，他的快讀取速度僅為5MB/S，這個速度，應付當年的游戲“貪吃蛇”的應用是足夠了。

步：連接單體電壓采集器（詳見章節(jié)2.4）。純負載不具此功能

步：放電開關，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負）。接反會告警提示。（詳見章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源(電池組供電不用接AC220V電源，直接將放電開關撥到合的位置)，主機開機。

第六步：進入放電參數(shù)設置。(詳見章節(jié)3.2）

第七步：將放電開關撥到合的位置（電池組供電省略此步驟）。

第八步：“確定”開始測試。

1.4.3容量快測（選配功能）環(huán)境試驗一般只對小部分產(chǎn)品進行，常見的環(huán)境試驗內(nèi)容和方法如下：溫度試驗用以檢查溫度環(huán)境對儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫和低溫條件下工作和儲存的適應性，它包括高溫和低溫負荷試驗、高溫和低溫儲存試驗。高溫試驗用以檢查高溫環(huán)境對儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫條件下工作和儲存的適應性。它包括高溫負荷試驗和高溫儲存試驗。低溫試驗用以檢查低溫環(huán)境對儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫條件下工作和儲存的適應性。

步：連接單體電壓采集器（詳見章節(jié)2.4）。

步：放電開關，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負）。接反會告警提示。（詳見章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源，主機開機。

第六步：進入容量快測參數(shù)設置。(詳見章節(jié)3.3）

第七步：將放電開關撥到合的位置。

第八步：“確定”開始測試。半導體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關知識經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設計、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。蓄電池充電放電測試儀 HN1016B 直流接地故障檢測儀試驗方法