HNXZ-270kva/70kv調(diào)頻式串聯(lián)諧振耐壓裝置 (規(guī)格廠家選定)
CVT交流耐壓裝置 HNNY 多倍頻發(fā)生器

一、產(chǎn)品概述

該裝置主要針對(duì)電纜，電機(jī)等及其系統(tǒng)的交流耐壓試驗(yàn)設(shè)計(jì)制造。電抗器采用多只分開設(shè)計(jì)，既可滿足高電壓、小電流的設(shè)備試驗(yàn)條件要求的耐壓設(shè)備。

2、主要功能及其技術(shù)特點(diǎn)：

裝置具有過壓、過流、零位啟動(dòng)、系統(tǒng)失諧（閃落）等保護(hù)功能，過壓過流保護(hù)值可以根據(jù)用戶需要整定，試品閃落時(shí)閃落保護(hù)動(dòng)作并能記下閃落電壓值，以供試驗(yàn)。

自動(dòng)掃頻時(shí)頻率起點(diǎn)可以在規(guī)定范圍內(nèi)任意設(shè)定，掃頻方向可以向上、向下選擇，同時(shí)彩色液晶大屏幕顯示掃描諧振、升壓、記時(shí)曲線方便使用者直觀了解是否找到諧振點(diǎn)。

總線越長(zhǎng)、經(jīng)過的環(huán)境越復(fù)雜越容易出現(xiàn)通信問題。外部環(huán)境中復(fù)雜多變的電磁場(chǎng)會(huì)間接抬高總線的電勢(shì)，靜電、浪涌、短路等會(huì)直接作用到通信線上。以上情況的出現(xiàn)，輕則導(dǎo)致?lián)p壞，重則造成主板故障。與總線連接前加入隔離是十分必要的。如何隔離?隔離的方法及原理與I/O隔離相似，不同的是通信隔離需要考慮到隔離器件對(duì)通信信號(hào)的影響，不當(dāng)?shù)母綦x往往導(dǎo)致通信中斷或通信不暢。對(duì)來說，隔離可以從兩方面入手，通信隔離和供電隔離。

二、技術(shù)參數(shù)

1、-指生產(chǎn)廠家代碼

210kVA指設(shè)備能輸出的額定容量，單位為kVA

70kV指設(shè)備能輸出的電壓等級(jí)，單位為kV；（電壓值根據(jù)具體需要）

2、技術(shù)指標(biāo)

（1）額定電壓：

70kV---滿足10kV電纜的交流耐壓試驗(yàn)；

（2）輸出電壓波形畸變率：<1.0％

（3）允許連續(xù)工作時(shí)間：額定條件下一次性工作30分鐘，在對(duì)電纜耐壓時(shí)，滿足連續(xù)工作60分鐘

（4）裝置自身品質(zhì)因數(shù)：Q>50

（5）電纜試驗(yàn)時(shí)滿負(fù)荷下品質(zhì)因數(shù)：Q>30（與負(fù)載相關(guān)）

（6）輸入電源：?jiǎn)蜗?/span>380V/220V

（7）頻率調(diào)節(jié)范圍：30Hz～300Hz

（8）系統(tǒng)測(cè)量精度：1.5％

（9）裝置具有過壓、過流、零位啟動(dòng)等保護(hù)功能

3、技術(shù)參數(shù)

（1）電源控制箱 1臺(tái)

額定功率：4.5kW；

輸入電壓：?jiǎn)蜗?/span> 380V/220V±15%  50Hz

輸出電壓：0～400V可調(diào)

輸出電壓頻率：30～300Hz  

0.1Hz步進(jìn)可調(diào) 

頻率不穩(wěn)定度≤0.02%

輸出電流：0～11.25A

（2）電抗器 3臺(tái)

額定工作電壓：25kV

額定工作電流：1A

額定電感量：100H

連續(xù)工作時(shí)間：60分鐘

溫    升：小于60度

工作頻率：30~300Hz

（3）勵(lì)磁變壓器 1臺(tái)

額定容量：4.5kVA

輸入電壓：400V/200V

輸出電壓：1kV/3kV

輸出電流：4.5A/1.5A

 研究小組設(shè)計(jì)了一個(gè)由四臺(tái)RGB攝像機(jī)和四臺(tái)紅外熱像儀組成的系統(tǒng)，這些攝像機(jī)的布置方式使拍攝圖像能夠重疊，以生成3D熱圖像和3D地理數(shù)據(jù)。再使用標(biāo)準(zhǔn)軟件對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行和評(píng)估。為了創(chuàng)建該系統(tǒng)，研究小組選擇了四臺(tái)FLIRA65sc紅外熱像儀以及選自另一家制造商的四臺(tái)緊湊型RGB攝像機(jī)，這些攝像機(jī)都能生成約5百萬像素的圖像。Kaubitzsch研究小組使用FLIRA65sc紅外熱像儀，“由于其良好的64512像素?zé)岢上穹直媛省?Hz的幀頻、以太網(wǎng)端口以及16x443mm的緊湊型尺寸”。

（4）電容分壓器-50kV

電容量：1000pF

額定電壓:70kV

工作頻率：30～300HZWLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等技術(shù)，在技術(shù)發(fā)展的過程中對(duì)以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造領(lǐng)域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒。在530KHz到1.1MHz的頻段范圍內(nèi)，測(cè)量出的輻射干擾超出了模板的限量。同時(shí)，我們還測(cè)試了將連接雷達(dá)模塊線纜斷開的情況，發(fā)現(xiàn)仍然通不過標(biāo)準(zhǔn)。上圖的譜線我們可以得到一些信息：在低頻范圍內(nèi)，該設(shè)備的輻射噪聲是超出標(biāo)準(zhǔn)的，我們假定引起這個(gè)問題的，是一個(gè)低頻的數(shù)字信號(hào)。相對(duì)較寬的頻譜，不含離散的譜線，意味著該超標(biāo)的頻譜噪聲來源很可能是來自于控制器本身或者控制器和雷達(dá)模塊之間的串行接口。正如我們之前提到的，斷開控制器和雷達(dá)模塊之間的線纜，測(cè)試也沒通過，所以我們初步認(rèn)為，引起這個(gè)超標(biāo)的源頭在于控制器。

（5）測(cè)試線及附件 1套