青島華能HN系列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗方法HN10A互感器特性綜合測試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測量校核型號的CT、PT，包括保護CT、計量CT、TP級暫態(tài)CT、勵磁飽和電壓達到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.在識別PLC信號方面，本文采用的是統(tǒng)計模式識別方法，這種方法計算量比較小，容易求解。本文針對文獻[1]所提出的識別器模型，改進并設計了一種算法簡單、計算量較小的信號識別器。在低信噪比的情況下，識別效果也是比較理想的。基于近似實際的電力線通信信道的仿真結果和比較試驗顯示出本文所改進和設計的識別器的有效性。1信號模型設r(t)為接收到的信號的復數(shù)模型：其中s(t)是調制信號的復數(shù)形式，n(t)是電力線信道的背景噪聲，ωc是載波頻率，θc是載波相位。

自動給出點電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。外部干擾——電子設備或系統(tǒng)以外的因素對線路、設備或系統(tǒng)的影響。外部高電壓、電源通過絕緣漏電而干擾電子線路、設備或系統(tǒng)。外部大功率的設備在空間產(chǎn)生很強的磁場，通過互感耦合干擾電子線路、設備或系統(tǒng)?？臻g電磁對電子線路或系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾。工作環(huán)境溫度不穩(wěn)定，引起電子線路、設備或系統(tǒng)內部元器件參數(shù)改變造成的干擾。電磁干擾的傳播途徑1.當干擾源頻率較高，且干擾信號波長比擾對象結構尺寸小，則干擾信號可認為是輻射場，以平面電磁波形式向外輻射電磁場能量，并進入擾對象的通路。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側的連接，未接地的電力線較長，會給CT一次側的測量引入較大干擾，參見圖3.4。

將CT一次側一端連接至CTPT儀CT一次側/PT二次側黑色端子將CT一次側另一端連接至CTPT儀CT一次側/PT二次側紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.3所示，斷開被測CT二次側和二次負荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進行CT或CT比差角差測試時，沒有測試的二次繞組應短接，否則測試誤差將會偏大保護10P10，OTA的主要測量指標OTA測量包括發(fā)射端測量和接收端測量兩個部分。發(fā)射端測量指標主要包括以功率測量為主的指標，如TRP(總輻射功率)和以信道質量為主的指標如DirectionalEVM；接收端測量指標主要包括波束頂點處的靈敏度，交調，Throughput(吞吐量)等。具體如下：發(fā)射端：ACLR鄰道泄漏功率比TRP總輻射功率EIRP等效全向輻射功率，即某方向測得的輻射功率，為TRP的基本構成單位DirectionalEVM具有方向性的矢量誤差幅度DirectionalPower具有方向性的功率-接收端：TIS總全向靈敏度EIS有效全向靈敏度，即某方向測得的靈敏度，為TIS的基本構成單位。暫態(tài)TPY三個繞組的2000/1的CT，進行0.5級繞組的比差角差測量時應按照圖3在考慮上述問題之后就能確定選用何種類型的傳感器，然后再考慮傳感器的具體性能指標。頻率響應特性五金傳感器的頻率響應特性決定了被測量的頻率范圍，必須在允許頻率范圍內保持不失真的測量條件，實際上傳感器的響應總有—定延遲，希望延遲時間越短越好。傳感器的頻率響應高，可測的信號頻率范圍就寬，而由于受到結構特性的影響，機械？系統(tǒng)的慣性較大，因有頻率低的傳感器可測信號的頻率較低。在動態(tài)測量中，應根據(jù)信號的特點（穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、隨機等）響應特性，以免產(chǎn)生過火的誤差。.4.1進行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護地PE將按照圖3.6所示，斷開PT二次側和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側/PT一次側的黑色端子連接至二次負荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側/PT一次側的紅色端子連接至二次負荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時，CT二次側/PT一次側的連接端子應保持在功率輸出端子的內側所述存儲所述第n個補償余數(shù)具體包括：用第n個補償周期的補償余數(shù)覆蓋第n-1個補償周期的補償余數(shù)。一種應用在電能表中RTC模塊的補償校準裝置，包括：溫度測量模塊，用于根據(jù)測量的RTC模塊的晶體溫度獲取時鐘校準所需的補償參數(shù)；控制模塊，用于根據(jù)所述補償參數(shù)和RTC模塊的補償單位計算補償校準值和補償余數(shù)，并根據(jù)所述補償校準值和所述補償余數(shù)對RTC模塊的時鐘頻率進行校準。所述控制模塊，具體用于在個補償周期中，按照所述補償校準值對所述RTC模塊的時鐘頻率進行校準，并將所述補償余數(shù)存入存儲模塊；所述存儲模塊，用于存儲所述補償余數(shù)。青島華能HN系列 電容式電壓互感器現(xiàn)場檢定裝置 試驗方法