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就普通照明而言,LED技術(shù)已經(jīng)可以滿足生產(chǎn)高品質(zhì)燈具的要求,但是具體生產(chǎn)高品質(zhì)LED燈具時(shí),則需要掌握電力電子學(xué)、光學(xué)和熱管理學(xué)等三個(gè)領(lǐng)域的知識(shí)。很少有同時(shí)精通于三個(gè)領(lǐng)域的工程師,而如果電源工程師還負(fù)責(zé)系統(tǒng)架構(gòu)時(shí),他多半會(huì)將更多精力放在控制輸出電流的度上。毫無疑問,度非常重要,但當(dāng)我們的終產(chǎn)品是一個(gè)燈具時(shí),它發(fā)出的光的品質(zhì)才是我們所關(guān)心的重點(diǎn)所在。本文重點(diǎn)探討了如何對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行嚴(yán)格控制,因?yàn)楫?dāng)我們關(guān)心輸出光品質(zhì)時(shí),對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電流的控制將會(huì)成為影響LED電源成本的重要因素。
HN12A變頻式互感器綜合儀(CT/PT儀)
功能簡介:
1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)
2 變比試驗(yàn)
3 相位和極性試驗(yàn)
4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測量
5 CT二次繞組電阻測量
6 CT二次回路負(fù)荷測量
7 CT暫態(tài)特性測試與
8 CT升流試驗(yàn)
9 測量校核型號(hào)的CT、PT,包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.
10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.
自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10%誤差曲線、 5%誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)(ALF)、 儀表保安系數(shù)(FS)、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IG功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IG性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求,其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制,面臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源,并通過實(shí)際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。由于反激電源在開關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能量輸出的固有特性,使得其電流輸出特性和瞬態(tài)控制特性相對(duì)來說都比較差。
技術(shù)參數(shù):
輸出電壓:0~180V (RMS)
■ 輸出電流:0~12A,峰值36A
■ 電壓測量:準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測量范圍:1~30000
■ PT變比測量范圍:1~30000華能互感器綜合儀 HN12F互感器校驗(yàn)儀半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測試,芯片封裝和封裝后測試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對(duì)Wafer劃片槽(ScribeLine)測試鍵(TestKey)的測試,通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù),測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺(tái)上,由WATRecipe自動(dòng)控制測試位置和內(nèi)容,測完某條TestKey后,ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey,直到整片Wafer測試完成。