先測(cè)試出可控硅的峰值電壓，將電線正負(fù)極連接至K兩極，接地線接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測(cè)試其漏電流數(shù)值。進(jìn)行漏電測(cè)試后，逐漸升壓，觀測(cè)漏電流，當(dāng)數(shù)值超過(guò)其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié)，并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通，而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量，參照之前使用的漏電檢測(cè)法。為防止搖表法測(cè)試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 介損測(cè)試儀 變壓器特性測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻程控測(cè)量放大器比測(cè)量放大器增加了模擬開(kāi)關(guān)及驅(qū)動(dòng)電路。增益選擇開(kāi)關(guān)Sl—S'l，S2—S'2，S3—S'3成對(duì)動(dòng)作，每一時(shí)刻僅有一對(duì)開(kāi)關(guān)閉合，當(dāng)改變數(shù)字量輸入編碼時(shí)，則可改變閉合的開(kāi)關(guān)號(hào)，選擇不同的反饋電阻，相當(dāng)于自動(dòng)改變測(cè)量放大器中電位器R1的阻值，達(dá)到改變放大器增益的目的。下圖為集成程控測(cè)量放大器電路芯片LH0084的內(nèi)部電路原理圖。一方面通過(guò)接線選擇運(yùn)算放大器A3的反饋電阻來(lái)確定放大器的基礎(chǔ)放大倍數(shù)，另一方面通過(guò)控制模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)放大倍數(shù)的自動(dòng)控制。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 介損測(cè)試儀 變壓器特性測(cè)試儀在大多HIL系統(tǒng)中一個(gè)關(guān)鍵組成部分是自動(dòng)故障仿真，PickeringInterfaces看到了用于多數(shù)量IO的ECU測(cè)試的高密度故障注入開(kāi)關(guān)需求越來(lái)越大，尤其在自動(dòng)化和航天工業(yè)方面。BobStasonis先生繼續(xù)談到：Pickering經(jīng)常根據(jù)客戶(hù)的需求將開(kāi)關(guān)密度做到極限，高密度開(kāi)關(guān)模塊的新趨勢(shì)包括日益增長(zhǎng)的帶寬需求和在一些市場(chǎng)尤其是半導(dǎo)體工業(yè)上，對(duì)隔離電阻的驗(yàn)證。目前，我們平均的隔離電阻規(guī)范為10^9Ω。