當(dāng)然這種方法也會(huì)更加準(zhǔn)確一些，無論是找人，還是對(duì)中。后，人與人可以試試在一起，判斷彼此性格以及其他是不是合適，這個(gè)就與對(duì)中法非常接近了。對(duì)中法也需要數(shù)據(jù)，電腦進(jìn)行運(yùn)算，同樣，判斷對(duì)方是不是良人，也需要很多數(shù)據(jù)，用大腦去思考對(duì)錯(cuò)。雖然在效率上沒有特別的優(yōu)勢(shì)，但是準(zhǔn)確性十分高。同時(shí)呢，這樣的方法可以降低能耗，提高生產(chǎn)率；就像用心感受出來的人才能更幸福的走向未來。下面是解開這個(gè)高大上的對(duì)中法。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN60變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能變壓器容量及損耗測(cè)試儀 變頻大地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻新公布的標(biāo)準(zhǔn)和原有的標(biāo)準(zhǔn)有什么區(qū)別呢？本次修訂的GB/T18481.1和GB/T27930重點(diǎn)考慮充電的**性和兼容性，增加了充電樁的**隔離保護(hù)、充電溫度控制、機(jī)械鎖和電子鎖聯(lián)動(dòng)、過載和短路保護(hù)等**措施，完善了充電控制導(dǎo)引和時(shí)序、故障分類信息、冗余保護(hù)等內(nèi)容，提高了標(biāo)準(zhǔn)的適應(yīng)性和可操作性。如何才能符合充電樁新國標(biāo)**要求？充電樁為什么要關(guān)注隔離保護(hù)？充電樁常常放置于室外，由電網(wǎng)供電，偶然性會(huì)遇到雷擊、浪涌等電壓異常情況。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30AHN60變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能變壓器容量及損耗測(cè)試儀 變頻大地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高，這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數(shù)儀，使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例，包括測(cè)試：平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。