在大型數(shù)字波束合成天線中，人們非常希望通過組合來自分布式波形發(fā)生器和接收器的信號(hào)這一波束合成過程改善動(dòng)態(tài)范圍。如果關(guān)聯(lián)誤差項(xiàng)不相關(guān)，則可以在噪聲和雜散性能方面使動(dòng)態(tài)范圍提升10logN。這里的N是波形發(fā)生器或接收器通道的數(shù)量。噪聲在本質(zhì)上是一個(gè)非常隨機(jī)的過程，因此非常適合跟蹤相關(guān)和不相關(guān)的噪聲源。然而，雜散信號(hào)的存在增加了強(qiáng)制雜散去相關(guān)的難度?？梢詮?qiáng)制雜散信號(hào)去相關(guān)的任何設(shè)計(jì)方法對(duì)相控陣系統(tǒng)架構(gòu)都是有價(jià)值的。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN60變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能有源變壓器特性測(cè)試儀 大地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻而對(duì)于支撐端到端傳輸?shù)幕A(chǔ)網(wǎng)絡(luò)而言，低延時(shí)（微秒級(jí)）、無損（lossless）則是重要的指標(biāo)。低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)主要產(chǎn)生在設(shè)備節(jié)點(diǎn)（這里忽略了光電傳輸延時(shí)和數(shù)據(jù)串行延時(shí)），設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)包括以下三部分：存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)：芯片轉(zhuǎn)發(fā)線處理延遲，每個(gè)hop會(huì)產(chǎn)生1微秒左右的芯片處理延時(shí)（業(yè)界也有嘗試使用cut-through模式，單跳延遲可以降低到0.3微秒左右）；Buffer緩存延時(shí)：當(dāng)網(wǎng)絡(luò)擁塞時(shí)，報(bào)文會(huì)被緩存起來等待轉(zhuǎn)發(fā)。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30AHN60變頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能有源變壓器特性測(cè)試儀 大地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀分工頻耐壓試驗(yàn)和直流耐壓試驗(yàn)兩種。工頻耐壓試驗(yàn)其試驗(yàn)電壓為被試設(shè)備額定電壓的一倍多至數(shù)倍，不低于1000V。其加壓時(shí)間：對(duì)于以瓷和液體為主要絕緣的設(shè)備為1分鐘，對(duì)于以有機(jī)固體為主要絕緣的設(shè)備為5分鐘，對(duì)于電壓互感器為3分鐘，對(duì)于油浸電力電纜為10分鐘。電氣設(shè)備經(jīng)耐壓試驗(yàn)?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)絕緣的局部缺陷、受潮及老化。交流耐壓試驗(yàn)：在被試設(shè)備電壓的2.5倍及以上進(jìn)行，從介質(zhì)損失的熱擊穿觀點(diǎn)出發(fā)，可以有效地發(fā)現(xiàn)局部游離性缺陷及絕緣老化的弱點(diǎn)。