當(dāng)然，如果設(shè)備在208/230Vac輸入下運(yùn)行，則上述所有測(cè)試更容易通過(guò)。通常情況下，設(shè)備制造商通過(guò)安裝備用電池或UPS（不間斷電源）來(lái)實(shí)現(xiàn)將交流電源中斷5秒的后測(cè)試。在電源內(nèi)部添加足夠大的儲(chǔ)能電解電容會(huì)導(dǎo)致尺寸明顯增大。如前所述，風(fēng)險(xiǎn)必須由設(shè)備制造商進(jìn)行。是否接受低于的判斷標(biāo)準(zhǔn)將始終取決于終應(yīng)用，以及是否會(huì)發(fā)生危害。IEC發(fā)布的條件更加嚴(yán)苛的第四版器械EMC標(biāo)準(zhǔn)IEC60601-1-2，近年在各國(guó)陸續(xù)正式實(shí)施。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器空載及負(fù)載測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備。可以測(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻Smartcollect采用“采集層-集成層-系統(tǒng)管理層”三層技術(shù)架構(gòu)，模塊化的設(shè)計(jì)易于通過(guò)具性價(jià)比的方式滿足所有用戶的實(shí)際需求。PM1-基礎(chǔ)版Smartcollect基礎(chǔ)版PM1，可通過(guò)簡(jiǎn)單的方式獲取測(cè)試數(shù)據(jù)并將其存儲(chǔ)于開(kāi)放的SQL數(shù)據(jù)庫(kù)中，具備基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)、能耗監(jiān)控及報(bào)告生成功能，用戶界面精美，操作便捷。PM2-增強(qiáng)版Smartcollect增強(qiáng)版PM2，在PM1的基礎(chǔ)上增加了電能質(zhì)量功能，支持標(biāo)準(zhǔn)PQDIFF電能質(zhì)量文件，報(bào)告滿足EN516標(biāo)準(zhǔn)。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器空載及負(fù)載測(cè)試儀式中：s為平行雙線的間隔；r為導(dǎo)線半徑。在高頻的開(kāi)關(guān)頻率（幾十kHz）下，產(chǎn)生很高的du/dt和di/dt，與直流母線的雜散電感相作用將產(chǎn)生很高的電流尖峰；而車(chē)用電機(jī)控制器的母線電壓一般為上百伏，故在產(chǎn)生PWM波的同時(shí)伴有很高的電壓峰值，這必然將帶來(lái)嚴(yán)重的電磁擾噪聲，通過(guò)近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)耦合形成傳導(dǎo)和輻射擾?？刂齐娐樊a(chǎn)生的PWM信號(hào)以及輸出的高頻時(shí)鐘脈沖波也會(huì)產(chǎn)生差模和共模輻射，但其輻射水平較低，產(chǎn)生的電磁擾一般較小。