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為了趕上摩爾定律的發(fā)展速度,光靠量變是不夠的。每一種技術(shù),過(guò)不了多少年,量變的潛力就會(huì)被挖掘光,這時(shí)就必須要有性的創(chuàng)造誕生。另外,反摩爾定律使得新興的小公司有可能在發(fā)展新技術(shù)方面和大公司處在同一個(gè)起跑線上,甚至可能取代原有大公司在各自領(lǐng)域中的地位。另外,在通信芯片的設(shè)計(jì)上,博通和Marvell在很大程度上已經(jīng)取代了原來(lái)朗訊的半導(dǎo)體部門,甚至是英特爾公司在相應(yīng)領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。吉爾德定律在未來(lái)25年,主干網(wǎng)的帶寬每6個(gè)月增長(zhǎng)一倍,其增長(zhǎng)速度是摩爾定律的CPU增長(zhǎng)速度的3倍。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特種變壓器變比測(cè)試儀
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。
抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
1、準(zhǔn)確度:
Cx: ±(讀數(shù)×1%+1pF)
tg: ±(讀數(shù)×1%+0.00040)
2、抗干擾指標(biāo): 變頻抗干擾,在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
3、電容量范圍:
內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
分辨率: 更高0.001pF,4位有效數(shù)字
4、tg范圍: 不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
5、試驗(yàn)電流范圍:10μA~1A
6、內(nèi)施高壓:
設(shè)定電壓范圍:0.5~10kV
輸出電流:200mA
升降壓方式: 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
試驗(yàn)頻率:
45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻所以,熔接前要根據(jù)系統(tǒng)使用的光纖和工作波長(zhǎng)來(lái)選擇合適的熔接程序。如沒(méi)有情況,一般都選用自動(dòng)熔接程序。制作光纖端面。光纖端面制作的好壞將直接影響接續(xù)質(zhì)量,所以在熔接前一定要做好合格的端面。用的剝線鉗剝?nèi)ネ扛矊?,再用沾酒精的清潔棉在裸纖上擦拭幾次,用力要適度,然后用精密光纖切割刀切割光纖,對(duì)0.25mm(外涂層)光纖,切割長(zhǎng)度為8mm-16mm,對(duì)0.9mm(外涂層)光纖,切割長(zhǎng)度只能是16mm。
頻率準(zhǔn)度: ±0.01Hz
7、外施高壓:
正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
8、CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30AHN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特種變壓器變比測(cè)試儀對(duì)于均勻介質(zhì)中的傳輸,時(shí)間軸等效于距離軸??焖俑道锶~(FFT)正反變換是矢量網(wǎng)絡(luò)儀實(shí)現(xiàn)時(shí)域的基礎(chǔ)。用矢量網(wǎng)絡(luò)儀時(shí)域時(shí),需要根據(jù)被測(cè)件電長(zhǎng)度L界定模糊距離,從而定義頻率間隔Δf;需要根據(jù)需求定義電長(zhǎng)度分辨率(時(shí)間間隔分辨率),從而定義頻率寬度SPAN。無(wú)模糊距離時(shí)間(長(zhǎng)度)分辨率注意,單端(S11)測(cè)試距離和時(shí)間,信號(hào)往返,是雙端單向傳輸(S21)的2倍。如果被測(cè)線纜的電長(zhǎng)度小于無(wú)模糊距離的2倍時(shí),連接線纜單端(S11)測(cè)試的末端要連接匹配負(fù)載,否則末端開(kāi)路或短路會(huì)在測(cè)試范圍內(nèi)產(chǎn)生模糊信號(hào)。