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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀

  • 產(chǎn)品型號(hào):HN6000
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀
詳情介紹:

HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀

  HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀  華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀 該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備。可以測(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度:
    Cx: ±(讀數(shù)×1%+1pF)
    tg: ±(讀數(shù)×1%+0.00040)
    2、抗干擾指標(biāo): 變頻抗干擾,在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍:
    內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
    外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
    分辨率: 更高0.001pF,4位有效數(shù)字
    4、tg范圍: 不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍:10μA~1A
    6、內(nèi)施高壓: 
    設(shè)定電壓范圍:0.5~10kV
    輸出電流:200mA
    升降壓方式: 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率:
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻濱松于今年正式發(fā)布了的近紅外MPPC研制成果,推出了紅外增強(qiáng)型MPPCS1372系列。其在95納米處具有較高的探測(cè)效率,響應(yīng)速度快,工作溫度范圍寬,適合場(chǎng)合下的雷達(dá)應(yīng)用,尤其是使用ToF測(cè)距法的長(zhǎng)距離測(cè)量。下圖是濱松推出的紅外增強(qiáng)型MPPC(硅光電倍增管)S1372系列。硅PIN光電二極管成本低,且不易受周圍環(huán)境光的干擾,但相比APD/SPAD和MPPC,探測(cè)距離較短。硅PIN光電二極管的上升和下降時(shí)間非常短(通常為1納秒或更短),因此非常適合于接收25納秒數(shù)量級(jí)的光脈沖。
    頻率準(zhǔn)度: ±0.01Hz
    7、外施高壓:
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30AHN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀我們家里的空調(diào)、冰箱等家電都貼有一張“能效標(biāo)識(shí)”,標(biāo)明了該家電的能耗等級(jí)。你知道這個(gè)能耗等級(jí)是怎么測(cè)試出來的嗎?特別是一些小功率設(shè)備的待機(jī)功耗,其測(cè)試方法不同會(huì)嚴(yán)重影響結(jié)果。讓我們來看一個(gè)實(shí)際測(cè)試案例。某工程師用致遠(yuǎn)電子的功率計(jì)PA31測(cè)試開關(guān)電源的待機(jī)功耗。次測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)待機(jī)功耗達(dá)到3mW,比理論值大出很多。測(cè)試參數(shù)如下圖所示:該工程師非常疑惑,于是與我司技術(shù)人員溝通測(cè)試方案,在詳細(xì)了解其測(cè)試過程以及儀器參數(shù)設(shè)置之后,我司技術(shù)人員給出了測(cè)試建議,修改了部分設(shè)置參數(shù)以及測(cè)試接線方式,得到了真實(shí)的待機(jī)功耗數(shù)據(jù),測(cè)試參數(shù)如下圖所示:對(duì)比上面兩張圖,可以發(fā)現(xiàn),修改參數(shù)和接線后,測(cè)試的待機(jī)功耗只有.4mW,與修改前的3mW相差將近8倍。HN60異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀  華能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 異頻接地電阻測(cè)試儀

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