生命孕育的過程往往復(fù)雜而又狀況百出，雖說通過加強(qiáng)對準(zhǔn)媽媽的關(guān)照和護(hù)理能夠在一定程度上確保胎兒的健康和**，但仍然會有疏漏的地方。為此通常需要借助外部儀器對胎兒發(fā)育狀況進(jìn)行檢測，其中胎心作為早有的功能，能夠傳遞出與胎兒健康狀況相關(guān)的重要信息。在使用傳統(tǒng)聽診器進(jìn)行人工胎兒心率檢測時(shí)往往計(jì)數(shù)不準(zhǔn)，而帶數(shù)字顯示功能的超聲波多普勒胎兒監(jiān)護(hù)儀又價(jià)格昂貴，僅方便使用，很難滿足日常需求。隨著傳感器技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展，一種基于MEMS加速度傳感器的無創(chuàng)胎心檢測方法被提出來。
HN7031A全自動三相電容電感測試儀配電網(wǎng)電容電流測試儀 有源變壓器容量測試儀 變壓器變比測試儀 華能牌

自動三相電容電感測試儀 可以在不拆線的狀態(tài)下，直接測量成組并聯(lián)電容器的單相電容或組合連接類型的三相電容器，也能夠測量電抗器的電感，接線簡單，測試、記錄方便，大大提高了工作效率。

功能特點(diǎn)
    1、內(nèi)部自帶電馳，自動數(shù)字合成產(chǎn)生三相大功率測試電源，不用外接電源即可使用；
    2、儀器可在不拆線情況下測量成組并聯(lián)電容器的單個(gè)單相電容及測量連接類型的三相電容；
    3、可三相同測或測量三只并聯(lián)電容器或電抗器；
    4、儀器可以測量電抗器的電感量；
    5、儀器可以測量工頻電流的幅值以及電流中2－32次的諧波含量；
    6、儀器可顯示出在測量電容器或電抗器的過程中測量的電壓、電流、功率、相位角、阻抗等數(shù)據(jù)，以便更好的問題所在；

如果沒有M2M技術(shù)將物體連接起來構(gòu)成一個(gè)龐大的物聯(lián)網(wǎng)是不可能的。M2M技術(shù)與產(chǎn)品是構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)層的重要技術(shù)與產(chǎn)品。M2M是物聯(lián)網(wǎng)重要的組成部分，應(yīng)該在M2M市場與產(chǎn)品成功的基礎(chǔ)之上，積極開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈的系列產(chǎn)品與應(yīng)用方案。不只是為客戶提供M2M產(chǎn)品，而是基于M2M基礎(chǔ)上聯(lián)合上下游廠商，提供涵蓋了傳感器、物聯(lián)終端、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和應(yīng)用平臺的成套物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品；同時(shí)基于成套的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品，根據(jù)用戶的實(shí)際應(yīng)用需求，為用戶開發(fā)與定制物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用解決方案并提供交鑰匙工程服務(wù)。
HN7033A自動電容電流測試儀

直接從PT的二次側(cè)測量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測試方法相比，該儀器無需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無需做繁雜的安措施和等待冗長的調(diào)度命令，只需將測量線接于PT的開口三角端就可以測量出電容電流的數(shù)據(jù)。

自動電容電流測試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、測量范圍：對地總電容 ≤120μF（三相對地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng) ）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng) ）
    2、測量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%配電網(wǎng)電容電流測試儀 有源變壓器容量測試儀 變壓器變比測試儀 華能牌端接測試點(diǎn)長時(shí)間監(jiān)測異常ZDS4的時(shí)序軟件具備長時(shí)間統(tǒng)計(jì)功能，下班后設(shè)置好示波器，對數(shù)據(jù)采集儀的SPI總線時(shí)序連續(xù)監(jiān)測一個(gè)晚上，天上班的時(shí)候，導(dǎo)出監(jiān)測結(jié)果，如所示，一個(gè)晚上總共進(jìn)行了72185次測量，其中有1347次是測量失敗的，導(dǎo)致異常的原因是SPI的數(shù)據(jù)建立時(shí)間不滿足后級芯片的時(shí)序要求。示波器自動保存了這1347份失敗的測試報(bào)告，打開第1345份測試報(bào)告，如所示，顯示了當(dāng)前建立時(shí)間為3.75ns（包含時(shí)序違規(guī)處截圖），不滿足后級芯片4ns建立時(shí)間的要求，而且歷史出現(xiàn)差的時(shí)序是3.5ns，時(shí)序是8.5ns，問題得以。