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HN1016B蓄電池充放測(cè)試儀 HN系列 蓄電池循環(huán)充放電測(cè)試儀 5年保修 蓄電池電導(dǎo)測(cè)試儀
該產(chǎn)品集蓄電池恒流放電，單體監(jiān)測(cè)，智能充電于一體。一機(jī)多用，減少企業(yè)成本，降低維護(hù)人員勞動(dòng)強(qiáng)度，為電池和UPS電源維護(hù)提供科學(xué)的檢測(cè)手段。用于電信、、電力等部門(mén)
蓄電池組充放檢電一體機(jī)=蓄電池組恒流放電+蓄電池組智能充電+單體電池電壓監(jiān)測(cè)+蓄電池組活化.
為了避免這種情況發(fā)生，希望反射波盡快回到源端，也就是支線(xiàn)要盡可能短。如所示，在IOS-11898-2中規(guī)定分支長(zhǎng)度在1M波特率下不得大于0.3m，1M波特率是CAN的波特率，所以其他波特率時(shí)，分支長(zhǎng)度如果也遵循0.3m規(guī)范，則可以穩(wěn)定運(yùn)行?！癟”型網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋮?shù)如何確定分支長(zhǎng)度IOS11898-2中分支長(zhǎng)度的規(guī)定是在1M波特率的條件下，有些場(chǎng)合或許無(wú)法做到很短的分支，根據(jù)不同波特率，分支長(zhǎng)度規(guī)范可以有適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
主機(jī)接線(xiàn)說(shuō)明
2.5.1接線(xiàn)、拆線(xiàn)原則
l 測(cè)試前接線(xiàn)時(shí)應(yīng)按照“先儀器，后電池”的順序進(jìn)行接線(xiàn)，即：先接儀器端的連線(xiàn)，后接電池端的連線(xiàn)。
l 測(cè)試完畢，用戶(hù)拆線(xiàn)時(shí)應(yīng)按“先電池、后儀器”的順序進(jìn)行拆線(xiàn)，即先拆電池端的連線(xiàn)，后拆儀器端的連接。
2.5.2 放電電纜的連接
l 放電電纜線(xiàn)將測(cè)試儀的“放電電流接口”與電池組并接。
l 注：“正”（紅色）接電池組正極，“負(fù)”（黑色）接電池組負(fù)極。 嚴(yán)禁接反！
2.5.3 整組電壓采集線(xiàn)的連接信號(hào)發(fā)生器生成波形的方式可以大致分為兩種DDS模式和Arb模式。兩種模式都具有優(yōu)缺點(diǎn)。DDS模式具有低成本、低功耗、高分辨率和頻率轉(zhuǎn)換快等優(yōu)點(diǎn)，適合輸出調(diào)頻、調(diào)相、掃頻信號(hào)。但是DDS可能會(huì)丟失一些數(shù)據(jù)點(diǎn)。另外一種方式就是Arb模式，可以理解為真任意波形發(fā)生器的意思。使用Arb模式可以編輯真實(shí)的復(fù)雜的任意波形信號(hào)。無(wú)論是上述兩種方式的哪一種或是一些新推出的其他方式的波形生成方法，采樣（時(shí)鐘）速率和分辨率都是非常關(guān)鍵的參數(shù)。
l 用整組電壓采集線(xiàn)將測(cè)試儀“整組電壓”與電池組正、負(fù)極并接。
l 注：整組電壓線(xiàn)的“正”（紅色夾子）接電池組正極，“負(fù)”（黑色夾子）接電池組負(fù)極。 嚴(yán)禁接反！
2.5.4 連接測(cè)試儀供電220V電源線(xiàn)。當(dāng)采用直流供電時(shí)不接。
2.5.5 請(qǐng)用戶(hù)仔細(xì)檢查接線(xiàn)是否正確，注意電池端子、電壓采集線(xiàn)端子、放電電流端子正、負(fù)極接線(xiàn)是否正確，嚴(yán)禁接反！
2.5.6 檢查無(wú)誤后，接通電源，測(cè)試儀開(kāi)始工作LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。