HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
價(jià)格 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 交直流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

新一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)Tyndall光電子封裝小組研究經(jīng)理Dr.LeeCarroll表示：“過(guò)去的十年見(jiàn)證了硅光子從出現(xiàn)到成為新一代信息通信技術(shù)應(yīng)用媒介的發(fā)展過(guò)程。采用面對(duì)面疊加法（3D集成）在硅光子集成電路(Si-PIC)頂部安裝驅(qū)動(dòng)器電子集成電路是一種基于光電子平臺(tái)實(shí)現(xiàn)高速電子解調(diào)與分配的實(shí)用方案。Tyndall研究院目前正在研發(fā)用于高速家用光纖網(wǎng)絡(luò)連接的新一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)演示模塊。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

大氣中的VOCs不僅是生成光化學(xué)煙霧污染物的主要前體物，同時(shí)也是大氣細(xì)粒子中有毒有害有機(jī)組分的重要來(lái)源，是形成灰霾的主要“元兇”，且一些VOCs本身具有毒性和致癌性。隨著我國(guó)大氣污染控制的不斷深化，VOCs成為繼顆粒物、、氮氧化物之后，我國(guó)大氣污染控制中又一新的關(guān)注點(diǎn)。筆者對(duì)空氣中揮發(fā)性有機(jī)物的檢測(cè)方法進(jìn)行了，比較了氣相色譜法、液相色譜法、膜技術(shù)處理、化學(xué)法和在線檢測(cè)試驗(yàn)艙等檢測(cè)方法的差。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

20世紀(jì)80年始，非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器在美國(guó)支持下發(fā)展起來(lái)的，在1992年研發(fā)完成后才對(duì)布。初期技術(shù)路線包括德州儀器研制的BST熱釋電探測(cè)器和霍尼韋爾研制的氧化釩（VOx）微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器。后來(lái)由于熱釋電技術(shù)本身的一些局限性，微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器逐漸勝出。2009年，L-3公司終宣布停止繼續(xù)生產(chǎn)熱釋電探測(cè)器。之后，法國(guó)的CEA/LETI以及德州儀器公司又分別研制了非晶硅（a-Si）微測(cè)輻射熱計(jì)探測(cè)器。